德仪扩大GaN布局 日本会津厂将扩产

类比 IC 大厂德仪 (TI) (TXN-US) 持续扩大第三代半导体氮化镓 (GaN) 布局， 德仪日本负责人 Samuel Vicari 指出，将扩大日本福岛会津厂氮化镓晶圆产能。

至于市况，Vicari 表示，市场放缓已是事实，但部分市场仍然表现稳健，例如汽车产业，另外，工业机器人和自动化市场需求也很强劲。

德仪持续扩大 GaN 布局，也持续与国内电源厂合作，其中，台达电 (2308-TW) 便曾导入德仪 GaN 技术和 MCU，强化资料中心电源供应器 (PSU) 产品。

另外，德仪去年也与群电 (6412-TW) 合作，推出搭载 GaN 技术的 65W 笔电电源供应器，抢进化合物半导体电源供应器新蓝海。