IFWS：化合物半导体激光器技术前沿追踪

半导体激光器是以半导体材料为增益介质的激光器，依靠半导体能带间的跃迁发光，通常以天然解理面为谐振腔。因此其具有波长覆盖面广、体积小、结构稳定、抗辐射能力强、泵浦方式多样、成品率高、可靠性好、易高速调制等优势。新物理、新概念以及新技术与半导体激光器的融合，为其发展注入了新鲜的血液.其中，半导体激光器在光纤通信领域的发展潜力巨大。得益于半导体激光器成本低、功耗低的优势，目前其已在光纤通信网络领域被广泛地应用。

近日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于苏州胜利召开。本届论坛是在国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、 国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、江苏省科学技术厅、苏州市科学技术局、苏州工业园区管理委员会的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合主办。

期间，由化合积电（厦门）半导体科技有限公司、宁波升谱光电股份有限公司、江苏省第三代半导体研究院协办支持的“化合物半导体激光器技术论坛“如期召开。波兰高压物理研究所研究员Mike LESZCZYNSKI、苏州长光华芯光电技术有限公司副董事长、首席技术官王俊、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部研究员刘建平、宁波升谱光电股份有限公司副总经理林胜、日本名城大学教授Tetsuya TAKEUCHI、化合积电（厦门）半导体科技有限公司联合创始人CEO张星，河南仕佳光子科技股份有限公司有源产品技术总监、中科院半导体所研究员黄永光，厦门大学助理教授梅洋、珠海鼎泰芯源晶体有限公司董事长赵有文，河北工业大学教授张紫辉，云南锗业公司首席科学家、云南鑫耀半导体材料有限公司总经理惠峰等精英专家们带来精彩报告，分享前沿研究成果。

厦门大学助理教授梅洋带来了题为”GaN基微腔激光器制备“的主题报告，分享了GaN基回音壁激光器、柔性GaN基微腔激光器的研究进展与成果，研究显示，基于InGaN量子点材料制备了低阈值绿光GaN基VCSEL；基于AlGaN与InGaN材料实现了UVC波段与UVA波段GaN基VCSEL光泵激射。实现了高Q值GaN基微盘激光器的低阈值激射，利用游标效应实现了单模GaN基微盘激光器的制备；进行了电注入GaN基微盘激光器的工艺开发。开发了GaN基微腔激光器的柔性衬底转移工艺，实现了柔性VCSEL与柔性微盘激光器的光泵激射。

珠海鼎泰芯源晶体有限公司董事长赵有文做了题为”高质量磷化铟和锑化镓衬底制备技术进展及批量生产“的主题报告，介绍了单晶生长和衬底制备技术及标准、单晶缺陷及其控制技术、衬底缺陷与外延材料缺陷的研究进展。研究建立并完善了磷化铟多晶合成、单晶生长到衬底制备的整套生产工艺技术并实现衬底的大批量生产销售，实现关键原材料的国产化自主保障。通过长晶、衬底加工、清洗等诸多工艺环节的技术优化完善，有效控制衬底晶格缺陷和表面缺陷数量，实现稳定高量产良率，满足下游客户外延生长及器件生产的要求。通过优化单晶生长热场、衬底抛光清洗技术工艺等，实现锑化镓单晶生长缺陷和衬底表面缺陷的可控，满足分子束外延材料生长要求，并制备出性能优异的红外成像面阵。国内大尺寸衬底材料（3英寸、4英寸磷化铟；4英寸和6英寸锑化镓）的市场需求逐步增长，国际上已基本成为市场主流。

河北工业大学教授张紫辉带来了题为”GaN半导体垂直腔面激光器的仿真设计与分析“的主题报告，介绍了利用二维耗尽效应改善GaN基VCSEL的横向电流限制、GaN基VCSEL PNP结的电流扩展、GaN基VCSEL中p-AlGaN插入层的空穴注入增强、MQW中具有梯度InN成分的GaN VCSEL的独特财产、反相位表面起伏结构对光学模式和激光的影响、450nm GaN基VCSEL的输出功率及其他类型的激光二极管的相关研究成果。

云南锗业公司首席科学家、云南鑫耀半导体材料有限公司总经理惠峰做了题为”高品质磷化铟衬底对激光器性能影响研究“的主题报告，介绍了高品质InP单晶的生长技术，InP在半导体激光器应用开发的优势，InP单晶衬底对激光器性能影响等研究进展。其中，报告指出，InP衬底主要应用领域包括光子学领域和射频领域，光子学领域的应用开发包括：激光器、光探测器，应用在光器件、芯片、光电集成电路及模块，汽车防撞系统、图像传感器等。其中的激光器开发，对比GaAs衬底，InP基器件可做成高质量的共振腔，也可做差频器件、并可基于QCL量子级联激光器的差频特性，开发太赫兹光源。