三代半，清纯半导体项目投产

2月3日下午，复旦大学宁波研究院重大产业化项目——清纯半导体正式投产。中科院院士、复旦大学校长金力，复旦大学常务副校长许征出席，宁波前湾新区管委会主任、党工委副书记王兆波致辞，中科院院士、复旦大学校长助理马余刚，宁波前湾新区管委会副主任、党工委委员史建范，复旦大学宁波研究院执行院长孙彭军，清纯半导体创始人、董事长张清纯参加。

王兆波代表前湾新区党工委、管委会，向复旦大学宁波研究院这十年来助力新区招才引智、产业发展所作的贡献表示感谢，向清纯半导体项目启动投产表示祝贺。王兆波指出，一直以来，宁波前湾新区以项目育产业、以产业促发展，锚定全国一流开发区建设目标不动摇。2022年，新区实现地区生产总值、固定资产投资、限上批零业3项指标全市增速第一，累计引进各类产业项目190个，合计总投资404.9亿元，平均每个工作日引资超1.5亿元；完成投资348.1亿元，平均每天近1亿元，产业发展和大平台建设呈现如火如荼的发展态势。

王兆波表示，清纯半导体作为全国领先的碳化硅功率器件设计和供应商，是目前国内唯一能够在碳化硅器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、实现国内产线量产的企业。此次项目顺利投产，将有力助推新区第三代半导体产业跨越发展，对新区数字经济产业发展具有里程碑意义。新区管委会也将一如既往地支持复旦大学宁波研究院和清纯半导体的创新创业工作，进一步优化政策供给，做好全方位服务保障，全力为科创事业发展营造良好营商环境。

清纯半导体是国内领先的碳化硅功率器件设计和供应商，拥有一支国际领先的研发团队，已正式量产首款国产15V驱动SiC MOSFET，推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同时获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核（国内首家），是目前国内唯一能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC MOSFET的企业。

为推动宁波和前湾新区碳化硅产业发展，清纯半导体从产品和技术端严密承接复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所的产业化任务，以培育和联合行业龙头企业为策略，聚焦产业关键共性技术，开展应用型科学技术研究，全力建设国家级宽禁带半导体技术创新中心和世界一流的宽禁带半导体材料与器件创新高地，支撑国家“双碳”战略及新基建战略的落地实施。

清纯半导体是复旦大学宁波研究院重点引进的数字经济领域高成长型企业。作为重要的科创主力军，复旦大学宁波研究院2013年成立至今，已为新区引进培育百余个科创项目团队。