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来源:KIA半导体发布时间:2023-02-032834浏览
询问 AIMOS管【KNL42150A】1500V 3A
选择一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果，下面详细介绍KIA半导体-KNL42150A 1500V3A这款产品。
超高压器件主要应用场景为音响电源、变频器电源、逆变器、DC-DC转换、工业三相智能电表、LED照明驱动等辅助电源。
产品特点：
1.新型的横向变掺杂技术、超高电压，超小内阻；
2.散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小；
3.开关速度较低，具有更好的EMI兼容性；
4.产品性能高，可实现国产替代进口。
典型应用拓扑图
N沟道MOSFET--KNL42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。
KNL42150A的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。反向恢复时间410nS，正向电压的典型值1.6V。
该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W，最大结温为150℃。存储温度范围均为-55℃到150℃，符合工业级温度范围，可完全适用于工业市场。
KNL42150A电路图
KNL42150A参数
产品特点：
高速切换
RDS(ON),typ，典型值=6.5Ω@VGS=10V
1500V/3A MOS管KNL42150A推荐用于光伏逆变器、光伏汇流箱、380V变频器反激式辅助电源、5G基站通信电源辅助供电系统等。
KNL42150A规格书
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