纳微半导体：当SiC遇上太阳能逆变器

“碳中和”趋势浪潮下，以SiC为代表的第三代半导体因其具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势站上风口。据悉，第三代半导体器件相比Si器件可降低50%以上的能量损失，并减小75%以上的装备体积。

太阳能逆变器方面，随着行业迈入“后1500V”以及“20A大电流”时代，要建成更大组串，进一步降低成本成为关键。采用SiC的电力电子设备可将太阳能微逆变器和串式逆变器的效率提升到98%以上，并且在微型逆变器领域可在不增加电力成本的基础上具有最大的价格溢价能力。

国际方面，已得到英飞凌、安森美、富士电机等国际大厂的规模化应用。国内如斯达半导、新洁能、闻泰科技、露笑科技等公司也在迅速成长。

GeneSiC的SiC MOSFETs采用了毫不妥协的“沟槽辅助平面栅工艺”。与其他SiC MOS技术相比，GeneSiC MOSFETs拥有高速开关和耐高温的性能，外壳温度可降低25℃，使用寿命可延长3倍。GeneSiC的MOSFETs具备100%耐雪崩测试的能力，短路耐受时间延长30%和稳定阈值电压易于并联的特性。

Steca coolcept flex型太阳能逆变器将来自于太阳能电池板的直流电转换成4.6 kW的交流电，可供家庭使用，或回馈电网，或本地存储以备后期使用，实现稳定需求或在停电时及时供电。

每一台4.6 kW的Steca coolcept flex逆变器采用了16颗GeneSiC G3R75MT12J SiC MOSFETs。这些额定值为1200V，75 mΩ的器件被用于一个具有双向boost两电平变换器和一个用于交流电压输出的H4全桥逆变拓扑。提升开关频率有效缩小了“无源”器件的体积和重量，与传统的硅基逆变器相比，极大地优化了KATEK设备在尺寸和重量上的表现。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

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