揭开MOS管损坏之谜

Mos开关原理（简要）：

Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为Mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了Mos芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

Mos管在控制器电路中的工作状态:

开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。

Mos管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。

Mos损坏主要原因：

过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；

过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿；

静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电

• 导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
• 由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）
• 瞬态功率原因：外加单触发脉冲
• 负载短路
• 开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
• 内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）