DUV光刻机遭进一步限制，中国仍有破局之路

集微网消息，针对近期荷兰、日本加入对华半导体设备出口管制的动向，知名行业分析师Dylan Patel认为，三方所达成的合作意向依然非常初步，本质上仍是口头协议，其中存在不少漏洞。

Patel指出，如果目标是阻止中国获得14nm、7nm或5nm工艺技术，那么禁令必须达到能够处理这些节点功能的不同级别的工具。例如台积电的16nm和12nm工艺技术，最小金属间距为64nm，台积电的7nm工艺技术最小金属间距为40nm。台积电的5nm工艺技术最小金属间距为28nm，出口禁令应基于这些参数制定适用标准。

Patel还认为，通过SAQP等工艺和浸没式DUV光刻机，中芯国际已经实现了7nm工艺技术，而且这并不是经济上可实现的极限，台积电N5工艺使用的28nm最小金属间距可以在没有EUV的情况下制造。使用ArFi光刻的SAQP理论上也可以实现。如果目标是阻止中国实现5nm制程技术，那么ArFi的出货就必须被阻止，ASML和Nikon可以制造该类机台。

如果目标是阻止中国实现7nm工艺技术的大批量生产，那么就必须阻止所有能够实现最小金属间距40nm的光刻工具，这就必须涉及到限制干式ArF光刻机。

如果目标是阻止中国扩大其14纳米工艺技术大规模量产，那么必须阻止所有可以实现节点上最小金属间距64纳米的工具，理论上，连KrF光刻机业需要纳入限制，SAQP搭配KrF 光刻机，尽管经济效益已经不是最优的，但足以应对紧急的国内需求，根据Patel推算，不考虑经济成本，仅凭现有的DUV工具，中芯国际理论上就可以实现每月超过100000片晶圆的7nm代工产能。这高于三星和英特尔先进节点（<=7nm）代工产能的总和。如果华虹、华力、长江存储、长鑫存储等本土企业的所有存量DUV设备都被中芯国际调用，那么他们所能建设的7nm产能将甚至远超台积电。

此外，Patel还认为光刻胶和光刻机关键零部件目前并无出口限制，这也是一个重大的漏洞，如果目标是遏制中国在前沿节点上的能力，也必须阻止这些工具的流通，关键供应商很容易被上海微电子等本土光刻机厂商所触及。