未来2年车规SiC供不应求，这家企业投85亿扩产

来源:第三代半导体风向发布时间:2023-01-141648浏览

2023年1月5日，「2022行家说三代半年会」于深圳举办，罗姆半导体FAE高级经理苏勇锦带来了《ROHM新一代SiC-MOSFET助力“双碳”目标达成》的主题演讲。

据罗姆半导体预测，2025年，SiC功率器件市场规模将从2020年的7.1亿美元，快速增长到25.6亿美元，年复合增长率达36%。经历了多年的探索期，SiC已经迈进”市场启动期”，即将迎来“快速成长期”。

苏勇锦还提到，电动汽车将成为SiC功率器件的主要增长市场和爆发点，2025年电动汽车上SiC功率器件将达到15.5亿美金，占比达到61%。

据其预测，电机控制器的SiC比率将从2023年开始迅速上升，渗透率将从2022年的9%增长到25%，预计2025年SiC电机控制器的渗透率将高达40%。

随着新能源汽车市场的爆发，苏勇锦表示，2023 年-2025年，SiC器件供不应求已成为不争的事实，为此，罗姆半导体将大幅扩产，以缓解车企的缺芯难题。2025年内罗姆半导体会将生产线和产能方面的投资增加3倍左右，总投资金额将扩大到1700亿日元（约85亿人民币），产能提升到2021年6倍。借助市场东风和产能扩充，罗姆半导体的目标计划是在2025财年将SiC 销售额要增加1000亿日元（约50亿人民币），目标是将 SiC 全球市场份额从14%提高到30%。

此外，罗姆半导体的沟槽栅SiC MOSFET技术也在继续不断精进，帮助客户降本增效。截至目前，罗姆已经量产了第4代SiC MOSFET，相比第三代产品，其RonA下降了40%左右。预计2025年，罗姆将推出第五代SiC MOSFET，RonA将在第四代的基础上实现进一步的下降。

罗姆半导体第4代SiC MOSFET中，罗姆通过进一步改进了他们自有的双沟槽结构，实现了业界超低的导通电阻，甚至在Tj=175℃的高温条件下，也能实现业界超小的RonA，并在RonA降低的同时，保持较长的短路耐受时间。

目前，罗姆的第4代SiC MOSFET具有1200V（18mΩ-62mΩ）和750V（13mΩ-45mΩ）系列产品，不仅具有低损耗和高可靠性优势，而且在驱动方面可以兼容15V栅极电压，因此更易于使用，可以帮助降低设计师的操作门槛。

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