英诺赛科推出高集成半桥驱动氮化镓功率芯片ISG3201

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• 高集成半桥驱动：2颗100V增强型氮化镓及1颗100V半桥驱动

• 耐压100V，导通电阻3.2mΩ

• 60A持续电流能力

• 零反向恢复

• 5*6.5*1.08 mm封装

• 支持100V高边电压

• 集成驱动简化外围电路

• 大幅降低栅极和功率回路寄生电感

• 减小占板面积73%（VS Si）

• 提升系统效率及功率密度

• 更大散热面积，有效降低温升

ISG3201简化了低压氮化镓芯片在48V以及更低电压系统中的应用，可便捷搭配多种控制器，满足多场景应用需求，有效提升系统效率、降低系统能耗。

ISG3201现已进入量产阶段。

2023年，英诺赛科将继续推出满足更多应用市场需求的ISG320x系列产品，进一步拓宽氮化镓的应用领域，引领第三代半导体行业生态链建设。（文：英诺赛科）

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