EPC发布150V和200V GaN FET

器件为DC-DC转换、AC/DC SMPS、微型逆变器和电机驱动提供更高的性能和更小的尺寸

Efficient Power Conversion（EPC）推出了150V、3 mΩ EPC2305和200V、5 mΩ EPC2304 GaN FET，为DC-DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器以及电机驱动器提供了更高的性能、更小的解决方案尺寸和成本。

EPC在热增强QFN封装中引入了150 V、3 mΩ EPC2305和200 V、5 mΩ EPC2304 GaN FET，该封装具有暴露的顶部和微小的3 mm x 5 mm的占位面积。

这些器件据说是市场上最小的导通电阻（RDS(on)）FET，在150V和200V，其尺寸比替代的硅MOSFET小15倍。此外，QG、QGD和QOSS比Si MOSFET小三倍以上，反向恢复电荷（QRR）为零。

这些特性导致在硬开关和软开关应用中的开关损耗都小六倍。驱动器损耗据说是硅解决方案的三倍，振铃和过冲都显著减少。

对于正弦BLDC电机驱动器，这些器件可实现<20 ns的空载时间和更高的频率，以降低噪声，最小化尺寸，同时实现与电机的集成，减少输入滤波器并消除电解电容器，通过消除振动和失真将电机+驱动器效率提高8%以上。这使得它们适用于叉车、铲土机、电动汽车、机器人和电动工具电机驱动。

对于80 V–20 V的DC-DC转换，EPC2304和EPC2305可实现更高的开关频率、高达5倍的密度和更高的效率，以简化冷却。

这些器件还提供了太阳能优化器和微型逆变器所需的更高的效率、更小的尺寸和重量以及鲁棒的可靠性。

新器件与之前发布的100 V 1.8 mΩ EPC2302、100 V 3.8 mΩ EPC2306和150V 4.9 mΩ EPC2308具有最大的设计灵活性，具有占位面积兼容性。

EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow表示：“设计师可以将这一系列产品用于更小更轻的BLDC电机驱动器、更小更高效的DC-DC转换器、太阳能优化器和微型逆变器以及更高功率密度的USB充电器和电源。占位面积兼容性允许优化性能和成本，而无需重新设计电路板。”

开发板

EPC90140开发板是一个采用EPC2304 GaN FET的半桥，EPC90143开发板是采用EPC2305 GaN FET的半桥。这些板的目的是简化评估过程，加快上市时间。

EPC90140开发板是一个具有EPC2304 GaN FET的半桥，EPC90143开发板是具有EPC2305 GaN FET的半桥。这些板的目的是简化评估过程，加快上市时间。50.8 mm x 50.8 mm电路板旨在实现最佳的开关性能，并包含所有关键部件，便于评估。

EPC2304的定价为每1 Ku 5.25美元，EPC2305的定价为1 Ku 4.95美元。EPC90140和EPC90143开发板的价格分别为200.00美元。电路板旨在实现最佳的开关性能，并包含所有关键部件，便于评估。

EPC2304的定价为每1 Ku 5.25美元，EPC2305的定价为1 Ku 4.95美元。EPC90140和EPC90143开发板的价格分别为200.00美元。