Transphorm发布GaN FET可靠性评级

现在按功率级别划分的新评级

Transphorm已宣布其GaN功率FET的最新可靠性评级。可靠性是通过故障时间（FIT）来衡量的，这是一种考虑客户报告的在应用中出现故障器件数量的分析。

迄今为止，根据超过850亿小时的现场操作，该公司的总产品组合已达到平均<0.1 FIT率。根据该公司的说法，这一评级是目前可用的任何GaN电源解决方案中业界最好的、唯一报告宽功率范围可靠性评级之一。

2019年，Transphorm是第一家发布完整验证数据集支持其可靠性声明的氮化镓制造商。此后，该公司定期分享其GaN可靠性成果，以帮助潜在客户在选择半导体供应商时做出明智的决定。Transphorm最近一次报告其FIT率是在2022年第一季度，结果< 0.3。

今年，Transphorm在改变客户评估GaN FET选项的方式方面又迈出了一步。该公司已将其可靠性数据分为两类：低功率：功率水平≤500W的应用中使用的GaN器件；和高功率：用于>500 W应用的GaN器件。

当按功率级别类型查看器件性能时，Transphorm的GaN FET具有以下可靠性等级，与硅基功率器件的可靠性等级非常相似：低功率：0.06 FIT，高功率：0.19 FIT。

Transphorm公司业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“我们的高压GaN器件设计用于最广泛的应用，涵盖从45W到4kW的最宽功率范围，随着GaN被引入新市场，其功率有望达到10+kW。这表明了我们技术的巨大通用性。然而，我们意识到，仅报告一个将所有应用类型汇总在一起的单一可靠性评级对客户可能没有那么有用。我们认为有必要帮助他们访问更细微的数据，以满足他们的特定设计要求。因此，低功率和高功率之间的区别。”