机构：美对中制裁收效甚微，但会中国推动芯片制造自给自足的催化剂

集微网消息，据Seeking Alpha报道，美国的半导体制裁被证明是促进中国增长的催化剂。它指出，由于ASML没有证据表明美国对中国的制裁正在奏效，中国芯片生产放缓更多是由于新冠疫情封锁，而非美方制裁。

阻止中国制造7nm及更先进芯片能力的制裁也没有奏效，Seeking Alpha在2022年5月18日发表的题为“应用材料：中芯国际转向7nm节点能力的另一个逆风”的文章中率先透露了这一点。

路透社最近的一篇文章报道称，中国目前正在推动一项1万亿元人民币(1420亿美元)的经济计划，以进一步提升其半导体产业，但该报道来源承认消息无法100%证实。

至关重要的是，文章中的评论之一是Techinsights分析师称“中国人可以用这些(28nm)技术充斥市场”。

Seeking Alpha深入探讨了中国当前的半导体工厂计划及其对全球芯片产能节点的影响。Seeking Alpha还将分析路透社关于1万亿元人民币晶圆厂扩建的报道，以及Tech insights关于充斥28纳米市场的建议是否毫无根据，因为它可能会产生深远的影响。

重要的是，迄今为止这些制裁的唯一赢家是中国设备公司。在2022年12月8日题为 “没有证据表明美国对中国的制裁正在奏效，多亏了ASML”的Seeking Alpha文章中讨论了这一点：

2022年1月至2022年9月的九个月期间，非中国公司的平均增长率为11.2%，而应用材料公司(AMAT )的收入增长率在2022年第三季度与2021年 第三季度相比仅为8.7%,和其他非中国WFE竞争对手相比表现不佳。

重要的是，中国设备公司的平均增长率为62.8%,这表明中国设备公司正在市场上取得进展，尽管它们的收入明显低于非中国同行。

同样重要的是，排名前八的中国设备公司都销售与AMAT直接竞争的产品。

扩大中国晶圆厂建设

表1显示了中国计划在2022年至2025年间建设28纳米及以上节点的芯片制造厂。这些晶圆厂主要是代工厂，由于中芯国际的成功，这种模式在中国得到了广泛接受。晶圆厂总支出为675.66亿美元。

美国商务部最近的限制旨在阻止中国在以下门槛上获得和制造先进芯片的能力：

具有16纳米或14纳米或以下的非平面晶体管架构(即FinFET或GAAFET)的逻辑芯片；

18纳米半间距或更小的DRAM内存芯片；

128层以上的NAND闪存芯片。

表一 中国宣布未来几年即将建设的28nm及以上晶圆厂

为什么要建造28纳米和更大的节点工厂?

文章指出，有人可能会问，为什么芯片公司只在16纳米及以下受到美国制裁的限制，而在28纳米建造晶圆厂？台积电于2011年制造了第一家28nm晶圆厂，并且一直在制造更多，甚至到2022年，其推理如下：

“28纳米工艺技术支持广泛的应用，包括中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、高速网络芯片、智能手机、应用处理器(AP)、平板电脑、家庭娱乐、消费电子、汽车，以及物联网。”

事实上，根据信息网题为 “热门IC:人工智能(“A/”)、5G、汽车和存储芯片的市场分析。台积电以57%，的份额在IC代工市场占据主导地位，

图一 22年第三季度台积电各nm节点收入

除了台积电的28纳米及以下节点，在最近一个季度，台积电24%的收入来自28纳米以上的节点。这表明，尽管32-90nm节点范围的ASP(平均售价)是28nm节点 ASP(平均售价)的50%,90nm节点ASP下降到30%,但中国晶圆厂仍有生产大尺寸设备的市场。

据台积电称：

在40nm,台积电的芯片瞄准智能手机、数字电视(“DTV”)、机顶盒(Set- Top-Box)、游戏和无线连接应用。

其65nm技术支持广泛的应用，例如移动设备、计算机、汽车电子、物联网和智能可穿戴设备。

台积电的130纳米芯片在消费电子、计算机、移动计算、汽车电子、物联网和智能可穿戴设备等领域有着广泛的应用。

值得注意的是，在表1中计划的总计1,333kwpm(每月千片晶圆)中，只有340kwpm在28nm的中芯国际计划中——计划为32-90纳米节点范围增加520 kwpm。最终的474 kwpm将来自90nm节点以上的新晶圆厂。

表二

表2总结了中国晶圆厂增加的影响，中国的总量增加了6%,但在32-90纳米节点范围内的增长影响为12%。在28nm节点，来自中芯国际的增加仅有 4%的增长。

表3显示了中国国内制造商以及韩国和中国台湾制造商目前的IC制造能力。总产能为1,665 kwpm。虽然中国新晶圆厂增加的1,334 kwpm只会导致全球产能增加6%, 但它将几乎等于中国境内目前1,665 kwpm的总产能：几乎是中国国内960 kwpm容量的两倍，将国外705 kwpm在中国区的容量翻倍。

表三

值得注意的是，美国对韩国内存公司三星电子和SK海力士实施了制裁，并在一年内豁免继续升级其在中国的晶圆厂，否则它们将不会受到制裁，允许购买先进设备。

三星和SK海力士在中国的工厂生产了全球3D NAND和DRAM供应的很大一部分。 三星约40%的3D NAND芯片在中国生产，而SK海力士约40%的DRAM生产。

目前Seeking Alpha不知道路透社关于中国政府对晶圆厂投资1万亿元人民币(1420亿美元)的 文章是否真实，因为它们来自未具名的消息来源。根据宣布将在未来几年建造的晶圆厂(表1),晶圆厂总支出为676亿美元。然而，它几乎没有什么变化，中国增加的晶圆产能仅占全球晶圆产能的6%和28nm的4%。

如果路透社的文章是正确的，Seeking Alpha可以假设1420亿美元的晶圆厂支出，即当前晶圆厂支出的2倍，将对全球产能产生2倍的影响。因此，中国的增加将使全球产能增加12%。这显然不足以像所建议的那样“用廉价的28纳米芯片充斥市场”。

另一个“谣言”是，华为作为第一家面临美国制裁的公司，据悉已经申请了一项EUV光刻系统专利，该系统已获批，可实现亚5纳米芯片生产，将与ASML直接竞争。Seeking Alpha会继续关注事态发展。

这种小幅增长是美国制裁收效甚微的另一个迹象，但只能作为中国推动芯片制造自给自足的催化剂。晶圆厂的扩张是在中国芯片公司扩大从中国公司购买晶圆厂设备之后进行的。尽管这些国内设备公司的增长令人印象深刻，但几乎没有推动美国和其他外国公司购买整体设备。Seeking Alpha已经发表了许多关于这个主题的文章，最近一篇发表于2022年12月8日，题为“没有证据表明美国对中国的制裁正在奏效，多亏了ASML”。

对于投资者来说，最大的侵蚀是设备公司，尤其是应用材料公司，它们在中国的收入敞 口最大。中国半导体公司通过从国内供应商处购买设备来应对制裁和制裁威胁。

这些中国公司中的每一家都生产与应用材料直接竞争的设备。值得注意的是，这些公司在2022年第三季度的平均增长率比2021年第三季度增长了62.8%,而应用材料增长了8.7%。（校对/武守哲）