东芯股份：明年可提供基于48nm工艺的512M NOR Flash样品

集微网消息（文/杨艳柔）近日，东芯股份在接受机构调研时表示，目前公司主要有量产的65nm工艺和48nm工艺包括1.8V的64M-256M的NOR Flash产品，明年可以为公司的客户提供基于48nm工艺的512M和通过堆叠方式提供1Gb的样品。这些中大容量的产品主要应用在一些工业及高可靠性的应用场景中。此外公司也在积极布局3.3V的NOR产品，丰富产品线从而进入更多终端市场。

在SLC NAND竞争格局方面，东芯股份表示，SLC NAND目前全球的主要产能还是在韩国的三星、海力士，美国的美光，日本的凯侠以及台湾的华邦、旺宏这些IDM公司。目前在晶圆代工方面我们也是希望能和晶圆厂更积极的配合，得到更多产能支持才能为未来的市场份额打下基础，随着国外大厂对这个市场的逐步退出我们相信在SLC NAND这个市场里还有很大的市场空间。

关于DRAM市场空间的问询，东芯股份回应，利基型DRAM一年全球大约有100亿美金的市场，公司也会关注与利基DRAM产品相关的信息，我们目前涉及的产品包括标准的DDR3以及 低功耗的LPDDR1、2，主要的应用端还是在OTT、IPTV、IPC和模块类的应用等。

另外，东芯股份称，MCP产品的下游应用主要是模块类的客户，受到市场波动的影响较小。整个市场一方面是基于客户需求量的增长，另一方面主要是产业的升级迭代。

（校对/黄仁贵）