时代电气子公司拟4.62亿元投建碳化硅芯片生产线相关项目

集微网消息（文/陈薇）4月12日，时代电气发布公告称，为提升公司在全国第三代半导体产业的影响力，占领第三代半导体产业高地，公司控股子公司中车时代半导体经过充分调研和论证，拟在公司已经建成SiC芯片线的基础上，进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。中车时代半导体拟投资4.62亿元人民币实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。

项目主要内容为，对湖南省株洲市田心工业园区内碳化硅芯片线厂房进行改造升级，改造既有设备，新增工艺设备及工艺辅助设备，信息化软件新增或实施服务；装修洁净室，配套进行厂务扩容，新增公用设备。

项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。

时代电气表示，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线，并进一步研发高性能的新产品，可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步，提升产业化水平，实现国家第三代半导体关键芯片自主化，提升国际竞争力，保障第三代半导体产业的可持续发展具有重要意义。

时代电气还指出，面对新能源汽车领域快速发展的规模趋势，通过本项目的实施建设，发展新能源汽车用SiC电力电子器件，为我国新能源汽车市场的自主发展提供保障，同时兼顾轨道交通行业的需求，支撑国家相关产业安全和可持续性发展。

另外，为响应国家要求及公司整体发展战略，时代电气半导体产业将继续致力于打造先进的功率半导体器件自主核心技术，依托强大的应用及产业平台，强化“芯片-模块组件-装置-系统”完整产业链，形成器件技术推动装置进步、装置技术拉动器件技术的良性循环。

公告显示，时代电气有过多条产业化半导体生产线的建设经验，从4~6英寸大功率晶闸管生产线至8英寸IGBT生产线，技术团队具备丰富的项目组织经验与能力，拥有健全的项目实施机构，完备的项目管理制度，完善的资金控制体系，可完全胜任本项目的建设。

（校对/Andy）