宽禁带半导体材料表征技术路演成功举办！

宽禁带半导体材料

表征技术路演

宽禁带半导体具有宽禁带、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性能，在高压、大功率、高效节能等方面扮演着极其重要的角色，可以满足未来电力系统对电力电子器件耐高压、 低功耗的需求， 在一些重要的能源领域中展现出巨大的市场潜力。

2022年12月23日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、小饭桌创服联合举办的宽禁带半导体材料表征技术路演活动在线上成功举办，由宽禁带联盟副秘书长、米格实验室总经理闫方亮主持本场技术路演。本次活动也得到了机械工业出版社、米格实验室、中关村标准化协会、中关村集成电路设计园、怀柔聚仪共享科技有限公司的大力支持。

来自国合通测、天科合达、米格实验室和中科院半导体所四家单位的知名专家、学者参与了本次技术路演，分别就“GDMS在高纯无机固体材料分析中的应用”、“电子显微镜制样和表征技术”、“SiC缺陷检测分析技术”与“深紫外光谱表征技术”，共同探讨了宽禁带半导体材料表征技术与产业发展的新趋势。

国合通正高级工程师刘红以“GDMS在高纯无机固体材料分析中的应用”为题，就GDMS的应用背景，不同技术方法的比较，目前的商业化仪器及工作原理、关键参数、分辨率、计算原理、样品制备、测定流程及相关案例进行了分享。

米格实验室技术总监杨丽霞通过FIB-SEM的构造、原理及功能案例，TEM的案例和原理的讲解，为大家分享了“电子显微镜制样和表征技术”。

天科合达工程师康乾，为观众依次介绍了缺陷检测的意义、检测参数及流程、表征加工参数、表征体参数、Candela8520与SICA88参数对比与缺陷差异。

武汉大学-中科院半导体研究所联培博士冯梦阳从研究背景、产品简介、主要技术指标和技术成果方面分享了“深紫外光谱表征技术”。

本次技术路演活动吸引了宽禁带半导体领域的有关专家学者、企业家、工程师、投资机构、行业媒体等200余人报名参加。会后，联盟将会根据参会观众的意向和需求持续沟通，全程做好跟踪、对接等服务工作，为国内宽禁带半导体产业蓬勃发展提供更多支持，带动我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展。