三星成功研发12纳米级DDR5 DRAM 望2023年量产

三星成功研发12纳米级DDR5 DRAM。三星

三星电子（Samsung Electronics）继2021年透过极紫外光（EUV）技术量产14纳米DDR5 DRAM后，再度突破至12纳米级制程，维持业界最先进技术的领先位置，计划自2023年开始量产。

综合三星、韩媒亚洲经济等消息，三星稍早宣布，透过业界最先进的12纳米级（第五代10纳米级）制程，成功研发16Gb DDR5 DRAM，并与超微（AMD）完成兼容性检验。

12纳米级16Gb DDR5 DRAM支持7.2Gbps超高传输速度，且与前一代产品相比耗电量减少约23%。据悉，三星在该产品采用高电容率的新材料，并为了改善电路特性，在设计上进行革新。

三星计划今后持续扩大12纳米级DRAM产品群，将自2023年开始量产12纳米级DRAM，应用于数据中心、人工智能（AI）等各式领域，并致力于强化DDR5市场的规模。市调业者Omdia预测，整体DRAM市场中，DDR5比重将于2023年达到20.1%，2025年提高到40.5%。

三星存储器事业部DRAM研发室长李柱荣（音译）表示，透过业界最先进的12纳米级DRAM，将成为正式扩大DDR5市场的催化剂，并在数据中心、AI、新一代运算等方面，协助提供客户得以长期经营的环境。

另外，三星负责半导体事业的半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS），将于12月22日举行全球战略会议，预期将讨论存储器事业部、晶圆代工事业部、系统LSI事业部等相关事业发展蓝图。

责任编辑：张兴民