银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产

集微网消息（文/杨艳柔）12月20日，银河微电在投资者互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产。

同时，银河微电称，IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。

银河微电以封装测试专业技术为基础，目前初步具备IDM模式下的一体化经营能力，可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购需求。

作为半导体分立器件专业供应商，银河微电多年来紧跟下游行业发展趋势，积极布局新兴市场，公司成功加入国际汽车电子协会，并将产品从家用电器、计算机及周边设备、网络与通信、适配器及电源等领域拓展到汽车电子等应用领域，相关产品在功能稳定性、质量可靠性等各方面得到客户的广泛认可，建立了良好的行业口碑和品牌形象，产销量持续增长。

（校对/黄仁贵）