突破SiC晶体长厚的关键材料

“一次传质”工艺是采用一次传质的新热场，传质效率提高且基本恒定，降低再结晶影响（避免二次传质），有效降低了微管或其它关联晶体缺陷。平衡气相组分，隔断微量杂质，调节局部温度，减少碳包裹等物理性颗粒，在满足晶体可用的前提下，晶体厚度大幅增加，是解决晶体长厚的核心技术之一。

背景与冲突

恒普科技在2021年，推出的“一次传质”的新工艺，虽然效果突出，但采用筒形多孔石墨用料多，且大孔隙率的多孔石墨需要依赖进口，急剧增加了晶体生长的成本，大大阻碍了"一次传质“新工艺的推广，使sic晶体生长技术无法与国际同步。

问题

为了推动晶体 “长快、长厚，长大”，如何解决多孔石墨的瓶颈？是行业的迫切需求，多孔石墨的孔隙率、孔隙大小、空隙分布、强度、最薄可加工尺寸、蚀刻特性等技术参数都极具挑战，与工艺匹配更是难点。

解决

恒普科技突破性的解决了多孔石墨的技术，加速推动“一次传质”新工艺的使用，使行业能成本可循环、快速、灵活的与国际技术同步发展，解决关键材料“进口”依赖，并达到国际领先水平。

技术特点

孔隙率最高可达65%（国际领先）

空隙分布均匀；

批次稳定性高；

强度高，加工性可以达到≤1mm超薄壁圆筒形状 (国际领先）。

恒普科技 | 零实验室，致力于材料的基础研究和创新方向探索。