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近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。氧化镓未来主要应用于通信、雷达、航空航天、高铁动车、新能源汽车等领域的辐射探测领域的传感器芯片，以及在大功率和超大功率芯片。虽然目前还处于研发阶段，但各国半导体企业都在争相布局氧化镓。据悉，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面为（001）晶体的生长工艺要求极高的工艺过程控制，相同加工条件下（001）面表面质量和成品率也更优。
骆驼股权投资消息显示，铭镓半导体光学晶体已完成中试，开始转型规模化量产；其生产的掺杂人工光学晶体已获得国内国外客户的广泛认可；磷化铟多晶材料产线也已上线运营，完成重点客户认证工作，并获得客户的长期稳定性订单。铭镓半导体成立于2020年，是一家从事新型超宽禁带半导体材料以及人工晶体半导体材料产业化的公司，致力于相关高频、高功率器件的设计研发及产业化。其官方消息称，铭镓半导体采用自主研发和国际先进材料生长及加工设备，构建了满足氧化镓单晶生长、氧化镓异质/同质外延片生长、掺杂蓝宝石晶体生长、超高频磷化铟材料、晶体加工、芯片器件系统制作及检测等技术开发和成品化规模生产的研发基地。目前，铭镓半导体已研制并生产出高质量、大尺寸氧化镓单晶片与外延片、大尺寸蓝宝石窗口材料、磷化铟多晶及单晶衬底、高灵敏日盲紫外探测传感器件、高灵敏光电型局部放电检测系统等产品。
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