消息：国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破

导读：近日，铭镓半导体成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。

图：单晶晶片RMS：0.490nm（铭镓半导体）

据悉，铭镓半导体使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。

氧化镓是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。主要应用于通信、雷达、航空航天、高铁动车、新能源汽车等领域的辐射探测领域的传感器芯片，以及在大功率和超大功率芯片。

稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面为（001）晶体的生长工艺要求极高的工艺过程控制，相同加工条件下（001）面表面质量和成品率也更优。

官方资料显示，铭镓半导体成立于2021年，是新型超宽禁带半导体材料以及人工晶体半导体材料产业化先行者之一，并致力于相关高频、高功率器件的设计研发及产业化。目前，公司已研制并生产出高质量、大尺寸氧化镓单晶片与外延片、大尺寸蓝宝石窗口材料、磷化铟多晶及单晶衬底、高灵敏日盲紫外探测传感器件、高灵敏光电型局部放电检测系统等高科技产品。

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