(Daily Issue)守护李健熙最伟大遗产 「胆小鬼赛局」助三星撑主场？

随着存储器市场进入寒冬，龙头三星电子（Samsung Electronics）一举一动受到关注，相较其他竞争对手，相继宣布减产或减少资本支出，三星多次强调不考虑「人为减产」，令人好奇三星葫芦里卖什么药。

综观当前业界与国际情势，三星也许盘算重演过去胆小鬼赛局（chicken game）。这场赛局成败，也攸关李在熔新三星在中美国际角力下，未来的路究竟是坦途还是荆棘路。

第三次胆小鬼赛局 三星有心还是无意？

近期传出三星有意重演第三次存储器市场的胆小鬼赛局。简单比喻胆小鬼赛局，就像2台车面对面行进，谁先转动方向盘避开将是输家。业界经常用胆小鬼赛局来比喻不考虑获利，盲目投资扩张，尽管现实上不一定是先转方向盘者为输家。

回顾过去DRAM市场，曾有一段群雄崛起的时代，价格在激烈竞争后暴跌，2009年德国奇梦达（Qimonda）、2012年日本尔必达（Elpida）等，陆续从DRAM舞台消失，逐渐形成DRAM目前的三强寡占格局，三星、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）合计市占率超过95%。

三星可说是目前全球存储器市场中的最强玩家，蝉联DRAM市场30年第一。截至2021年底，三星DRAM市占率43%，NAND Flash市占率31%，尽管与颠峰时期市占率相比减少，但目前仍稳居市场第一。

存储器价格走跌，估计下滑至少会持续到2023年上半。COVID-19（新冠肺炎）疫情带动半导体需求大幅增加，许多业者计划投资扩产，然而后因俄乌战事持续，加上全球通货膨胀，导致需求暴跌，市场转为供过于求。

相较日前美光、SK海力力士、铠侠与威腾等，皆提到减产或减少投资，不外乎想透过减少供给，恢复市场状况。相较之下，吊诡的是存储器龙头三星宣布，不考虑人为减产，尽管目前看来，三星已出现NAND「自然减产」迹象。

三星主张维持正常投资步调，使2022年三星整体资本支出上看54万亿韩元（约400亿美元），其中半导体投资可能高达50万亿韩元，半导体占比与投资金额恐为历来之最，胆小鬼赛局可能性仍无法排除。

倘若这次三星再掀战局，「受害业者」很可能也包括SK海力士。

三星NAND自然减产 「非人为」因素有哪些？

若照三星目前说法，不考虑人为减产，背后因素值得仔细推敲。

三星对自身成本竞争力充满信心，尽管当前市场需求收缩，观察三星似认为有必要，从中长期角度为以后的需求复苏准备。如此或许不难理解三星不考虑人为减产的逻辑。

相较之下，SK海力士对存储器市场需求下滑与价格走跌的反应，却与三星截然相反。

SK海力士相关人士日前表示，由于面临前所未有的市场恶化，计划将资本支出减少50%以上，并且大幅减产。此前美光也决定削减30%资本支出。

韩国业界人士多认为，需求萎缩、库存过剩，导致存储器价格暴跌，如果不采取减产，价格走跌势必加速。

不过相较DRAM三强寡占局面，NAND市场情况较令人忧心，一般认为胆小鬼赛局在该市场出现的可能性较大。NAND市场三星排名第一，SK海力士接手Solidigm（前英特尔NAND部门）后升至第二，然而业者间的差距并未大幅拉开，三星NAND市占率约31%、SK海力士22%，其次为铠侠（Kioxia，17%）、威腾（Western Digital，13%）和美光（12%）。

尽管有人忧心忡忡，不过也有韩国业界观察家认为，胆小鬼赛局不会发生，指出三星资本支出之所以没有减少，并不是为了增加产量，而是为了技术投资与制程优化，因为制程转换过程中，无可避免将出现产量减少情况。

三星加速引进极紫外光(EUV)设备制程，转换过程不易确保良率，产量恐将无可避免地下滑。例如，日前传出三星从2023年起，华城16产线、17产线的NAND相关设备，将移转到平泽园区等地。

此外，三星宣布量产第八代、堆叠200层以上3D NAND，预料整体NAND产线，也将展开制程转换，这意味提升良率过程中，产量可能出现自然下降。

不减产的代价 三星有何把握御寒冬？

为了克服存储器产业的寒冬，三星、SK海力士对是否减产一事抱持不同对策，但两大业者唯一相同的因应之道，就是瞄准高附加价值产品。

SK海力士相关人士表示，预计2023年DDR5市场正式全面起跑，鉴于DDR5、LPDDR5及HBM3等新产品量产，持续投资仍有必要。

三星打算针对DDR5、LPDDR5X等新界面，以及客户对高容量产品不断增长的需求领域持续投资，确保市场的领导者地位。另一方面，最近三星也有意积极拓展车用半导体市场。三星相关人士于美国举行的技术日（Samsung Tech Day 2022），誓言2025年将在车用存储器领域取得第一。

事实上，三星目前的领先，没有像过去那样具有「压倒性」，主因可能与技术力、产能，以及后方追兵不断加快技术追赶脚步有关。另外，三星稍早宣布第八代3D NAND量产，值得注意的是，第八代3D NAND很有可能会比原来预期，更快地成为主力产品。

三星2013年首度推出3D NAND，为全球率先开发出向上堆叠制程技术的业者，也是三星在NAND市场保持第一的原创技术。目前三星主力产品为第六代、第七代3D NAND。不过面对后方追兵的狂追猛赶，三星对于第七代3D NAND与第八代3D NAND的发布显得低调。例如堆叠176层的第七代3D NAND，三星仅透过财报电话会议宣布从2021年开始量产。

第七代3D NAND，为三星首个切换到双堆叠（double deck）的产品，相较多数NAND业者，如SK海力士、美光等皆使用双堆叠，过去一段时间以来，只有三星一直标榜采用单堆叠（single deck）。然而为了加速实现200层以上3D NAND，三星势必转向双堆叠。不过，三星堆叠200层以上的产品，却是晚于竞争对手一些，例如美光从2021年7月开始，宣布量产堆叠232层NAND。

中美角力夹击 李在熔回防存储器？

回顾2016年，三星DRAM市占率高达48%，2017年三星NAND市占率高居40%。目前三星在DRAM及NAND市场的领先，不如过去那么大，尽管三星地位仍然稳固，但3成多的市占率，恐难让三星高枕无忧。

三星向来惯于在危机中抓住机会，巩固市场地位。在竞争对手相继减产的情况下，如果三星可以用卓越的成本竞争力、产能与技术，加上手边约120万亿韩元现金资产，持续维持市场供应，以不变应万变，似乎也有利于三星持续维持市场霸主地位。

此外，日前曾传出苹果（Apple）将采用国内长江存储的NAND，一度让三星内部高层感到非常震惊。因为光仅凭这一点，恐怕就足以动摇三星的市场主导者地位。

DRAM虽与NAND不同，具有相对较高的进入门槛，目前市场由三星、SK海力士和美光三大业者寡占，但三星恐怕也对美光高度警戒，因为最近在美国政府的支持下，美光开始宣布一系列扩产投资。

过去美光也曾面临巨大亏损，技术落后同业，且差点淘汰出局。如今美光已成功复活，透过收购台湾工厂及日本尔必达确保产能，又透过将新产品发布周期，从18个月缩短为12个月，不断提升市场竞争力。

最近美国开始重新投入半导体制造，美光得到美国政府的全力支持。2022年9月，拜登政府实施半导体支持法，美光宣布于爱达荷州投资150亿美元建立新的DRAM工厂。紧接着10月，又宣布计划投资1,000亿美元于纽约州北部建立大型半导体工厂，美国政府—包括联邦和地方政府—的奖励金就高达近100亿美元。

对于三星而言，美国政府加强本国半导体供应链的政策，可能影响中长期DRAM市场，威胁三星龙头地位。倘若三星不维持或增加投资，预计到了2024~2025年间，美光在美国政府的支持下，将可在DRAM市场威胁三星。

鉴于业界、国际政治等形势变化，三星的确可能再掀第三次的胆小鬼赛局；三星也梦想再度成为最后赢家。另一方面，存储器是三星已故会长李健熙，留给三星及韩国最伟大的遗产，预料李在熔的新三星，也将在此基础上发扬光大，但最终关键仍是技术与投资，三星不打算减少投资，也许可视为李在熔继任三星会长后的第一步回防。

责任编辑：张兴民