意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作

2022年12月5日，电子工程专辑讯，意法半导体（STMicroelectronics）与法国Soitec半导体公司正式宣布，双方在碳化硅衬底领域的合作迈入新阶段，意法半导体将在未来18个月内对Soitec的碳化硅衬底技术进行验证，在未来的200mm衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，助力器件和模块制造业务的发展，并有望在中期实现量产。

意法半导体汽车和分立器件产品部总裁MarcoMonti表示：“汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程，碳化硅晶圆升级到200mm将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。随着产量扩大，提升规模经济效益是很重要的。作为一家半导体垂直整合制造商（IDM），我们可以在整个制造链中最大化地发挥独特的技术优势，覆盖从高质量衬底到大规模的前端和后端生产等环节。提高生产的良率和质量正是我们与Soitec开展技术合作的目的。”

Soitec首席运营官安世鹏（BernardAspar）表示：“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的SmartCut™工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC™技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec的SmartSiC™优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。”

碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料，拥有优于传统硅的特性，面向电动汽车和工业流程等领域的关键、高增长的功率应用，能够提供卓越的性能和能效。它可以实现更高效的电能转换、更轻量紧凑的设计，并节约整体系统设计成本，助力汽车和工业系统的成功。

从150mm晶圆发展到200mm晶圆，用于制造集成电路的可用面积几乎翻倍，而每片晶圆可提供比原先多1.8至1.9倍数量的有效芯片，这将促使产能得到大幅提升。

SmartSiC™是Soitec的专利技术。通过使用Soitec专利的SmartCut™技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。