页面加载中，请稍候
来源:eetop发布时间:2022-12-051999浏览
询问 AI今年是闪存发明的35周年，让我来认识一下闪存的发明者，闪存之父--日本工程师Masouka。
但它并不止于此。闪存无处不在：它存在于我们的笔记本电脑、汽车甚至洗衣机中。不过在几十年前很难想象这样的世界。
发明的背后是日本工程师Masouka（舛冈富士雄）。今年是闪存发明35周年，下面就来看看所谓的闪存之父。
“闪存之父”Masouka
Masouka 于 1943 年 5 月 8 日出生于第二次世界大战期间的日本高崎。冷战期间，世界超级大国在创新技术上投入了大量资金，以保持制高点。聪明的年轻学生被吸引到物理、化学、数学和工程领域。
Masouka也不例外。当他在高崎上高中时，他对数学特别感兴趣，并加入了学校的物理和电子俱乐部。在那里，他了解到美国的一项新发明：集成电路。Masouka将集成电路视为未来。它为电子产品提供了一个令人兴奋的新世界，使计算能够以更小的外形尺寸进行。受到他新发现的激情的激励，Masouka在高中时就获得了大学水平的数学学分，以帮助他的入学申请。
1962年，高崎高中毕业时
很快，Masouka被东北大学录取，并分别于1966年，1968年和1971年获得了电气工程理学学士，理学硕士和博士学位。正如他所希望的那样，他将专注于集成电路技术。
完成博士学业后不久，Masouka加入了东芝研究与发展中心，担任一个小团队的研究员。
在1970年代初期，东芝对推进非易失性存储器特别感兴趣。Masouka后来引用了英特尔在国际固态电路会议上关于非易失性的演讲，作为该公司专注于此类研究的激励因素之一。
1970年国际固态电路会议的目录提供了对Masouka完成博士最后一年研究期间电子学状况的见解。图片由IEEE提供
在非易失性存储器方面，Masouka首先要解决的挑战之一是擦除数据的速度。1972年，他和他的团队发明了堆叠栅极雪崩注入型MOSFET（SAMOS）。擦除存储器涉及使用紫外光或电排出电荷的晶体管放电。
在 1976 年的设计更新中，SAMOS架构用于演示2kB内存上的写入/擦除，写入时间为20us，擦除时间为 5s。这种速度源于浮动门和使用紫外线擦除电荷的能力。
虽然紫外线为擦除内存提供了显着的加速，但它可能是广泛采用的限制因素。Masouka研究了在保持性能的同时消除紫外线的方法。1984年，他发表了关于闪存EEPROM的细节。“ 通过使用电子从浮动栅极到擦除栅极的场发射来[擦除存储单元]。“闪存”这个名字来自一位同事，他将擦除过程描述为“瞬间发生”。
东芝在1987年出售了第一台闪存，尽管英特尔最终被认为是该技术的发明者，并将在自己的商用闪存上获得更多利润。这一事实最初让东芝感到非常尴尬，以至于该公司公开承认英特尔是挽救面子的发明者。
在东芝工作了十年后，Masouka决定接受母校东北大学的教授职位。他在东芝的工作几乎没有得到认可，并且越来越感到在他的研究中得不到支持。
在东北大学，Masouka经营着自己的研究实验室，专注于固态电子学。在他的实验室网站上，他强调了实验室的目标，即为人类和地球进行有用的研究，并将大规模集成电路视为一项关键贡献，这与他在高中时的信念相呼应，即集成电路是未来。
1980年，Masouka发明了NOR闪存据报道，Masouka在面试中会要求候选学生想象慢跑，并在夹在耳朵上的小型设备上听所有音乐 - 他的实验室所做的工作将有助于实现这一目标。在90年代，世界仍在从盒式随身听过渡到CD-ROM光盘。MP3播放器和智能手机还有十多年的时间。
尽管他继续担任新角色，对他的研究有更多的控制和支持，但Masouka还是在2004年对东芝提起诉讼。Masouka希望为他为公司所做的工作获得公平的补偿，而公司几乎没有承认他的贡献。2006年，东芝以8700万日元（约合今天的65万美元）与Masouka达成和解。
在东北大学工作了11年后，Masouka于2005年成为Unisantis Electronics的首席技术官，Unisantis Electronics是一家专门从事环绕栅极晶体管半导体技术的日本公司。
在他的IEEE 作者页面上，他的名字最近在 2021 年继续出现在出版物中。即使在第一个商用闪存售出35年后，Masouka仍然是半导体技术的重要人物。
新闻来源：EETOP，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
暂无评论哦，快来评论一下吧！
2026-06-05
2 天前
2026-07-01