设备 | 爱发科自主研发可生成高密度TiN膜且膜压可控溅射模组

CINNO Research产业资讯，爱发科株式会社（ULVAC）的“ENTRON-EX W300”平台基于单片式多腔体理念，被广泛应用于铝（Al）、钨（W）等金属配线制程。“ULTiNA”是一种用于形成高密度TiN（氮化钛，以下简称为：“TiN”）膜且膜压可控的溅射模组（Sputtering Module），且可搭载于“ENTRON-EX”。

可搭载“ULTiNA”的半导体溅射设备一一“ENTRON-EX W300”。（图片出自：电波新闻）

此外，“ULTiNA”模组还搭载了一种可控制高密度TiN薄膜压力的新型技术，而利用以往的成膜技术，很难控制膜压。

利用该技术形成的TiN薄膜，可用做硬掩膜（Hard Mask）。硬掩膜可用作加工最尖端的5纳米逻辑半导体的层间绝缘膜。此外，爱发科也计划将其推广应用于3纳米逻辑半导体的生产。

由于硬掩膜可提高蚀刻选择比，所以高密度膜是理想选项。以往的高密度TiN薄膜具有较大的膜压，因此在对层间绝缘膜实施蚀刻加工后，容易出现线路（Pattern）变形的现象。

爱发科此次成功研发的新型TiN成膜技术，不仅可维持薄膜的高密度，也可以控制薄膜的拉伸和压缩的压力。利用该技术制成的高密度TiN薄膜拥有与层间绝缘膜吻合的压力。

“ULTiNA”搭载了爱发科自主研发的压力控制技术，仅需调整施加给晶圆侧的RF电力，就可在维持薄膜特性（不含压力）的情况下，任意调整薄膜压力，即自由拉伸和压缩。此外，“ULTiNA”不仅具备特殊的成膜特性，又兼顾了作为最尖端半导体设备的量产机被全面采用的“粉尘超低排放”。

利用“ULTiNA”形成的TiN膜在分布、电阻率、密度、光学特性等薄膜特性方面的表现不亚于传统TiN膜，因此除硬掩膜外，也可应用于其他方面。实际上，已开始被应用于硬掩膜以外的成膜制程。

爱发科表示，由于向业界公布了上述可调整压力的选择项，因此打开了之前被限制的用途领域。

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