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来源:今日半导体发布时间:2022-12-021374浏览
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免责声明：文章归作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系本部删除！（手机微信同号15800497114）来源：苏锡通融媒中心
11月30日，南通通富微电子有限公司三期工程封顶仪式在苏锡通园区通富微电厂区举行，园区党工委书记虞越嵩，党工委副书记、管委会主任黄晓峰，党工委委员、管委会副主任茅志斌，通富微电董事长石明达，通富微电总裁石磊出席活动。
通富微电三期工程位于苏锡通园区武当山路南侧、江山路北侧，总投资9.64亿元。项目采用集成电路封装、测试等具有自主知识产权的新技术、新工艺，建成后将形成年封装测试5G等新一代通信用集成电路产品2.8亿块的生产能力，标志着通富微电加快布局全国市场、打造集成电路封测行业新标杆，向着世界级集成电路封测企业的目标迈进，为园区高质量发展贡献力量。免责声明：文章归作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系本部删除！（手机微信同号15800497114）
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