【中国IC风云榜候选企业68】东芯半导体：存储芯片“方兴未艾”，国产化趋势之下大有可为

【编者按】2023年度中国IC风云榜全新升级，首次与中国汽车报强强联手、通力合作，整合汽车产业链资源，本届年会进一步扩展赛道形成30大奖项，覆盖领域更广、产业触达程度更深、行业影响力更大。本次评委会由中国半导体投资联盟超100家会员单位和数百位行业CEO担任，奖项名单将于2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业：东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯半导体”）

【参选奖项】中国IC风云榜年度持续创新奖

近年来，5G、汽车电子、人工智能、物联网和大数据中心等新兴领域的快速发展，使得半导体行业呈现高速増长态势，带动存储芯片市场需求持续增高，东芯半导体等国内存储企业趁势崛起。

东芯半导体成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分支机构。作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

众所周知，存储芯片设计技术门槛相对较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该领域，行业内的公司也需要不断投入研发，以保证技术优势并不断优化升级芯片性能。

自成立以来，东芯半导体坚持全部核心技术自主创新，不断增加研发投入。2021年，东芯半导体研发费用为7481.38万元，同比增长57.37%，占当期营业收入6.60%；2022年前三季度，研发费用已达到8392.55万元，同比增长77.11%，占当期营业收入比例达到8.86%。

东芯半导体认为，通过不断的研发投入，持续提升产品良率和竞争力，对于产品线和产品结构的不断优化、帮助公司在提升客户认可度和持续丰富产品布局方面起到关键作用。

目前，东芯半导体已打造了从多品类通用型向特色型产品延伸的发展路径，并在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。

与此同时，东芯半导体高度重视知识产权的自主性与完整性，并建设了具有自主知识产权的保护围栏。截至2022年6月30日，东芯持有境内外有效专利75项（包括原始取得与受让取得）、软件著作权13项、集成电路布图设计权60项、注册商标10项。

在持续追赶国际领先工艺过程中，东芯半导体已构建丰富的六大产品线，包括SPI NAND、PPI NAND、SPI NOR、DDR3（L）、MCP和LPDDR等，覆盖了5G基站、工业控制、监控安防、消费类电子、穿戴式设备、物联网等多场景应用领域的多样化需求；同时，持续对产品进行迭代升级改善工艺和产品良率，开拓具有前瞻性的存储产品。

以NAND产品为例，东芯半导体SLC NAND系列产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖1Gb至32Gb，被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。东芯半导体还与中芯国际在NAND领域进行深度合作，基于中芯国际1xnm工艺制程的闪存产品已成功完成首轮晶圆流片，相关产品正在调试过程中。

此外，凭借多年在存储芯片设计领域的经验积累，东芯半导体也在积极布局汽车电子领域，开发车规级存储产品，其SLC NAND产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

值得一提的是，东芯半导体独立研发的NAND Flash和NOR Flash车规产品均在AEC-Q100的验证过程中，且进展顺利。

当下，半导体行业国产化趋势明显，存储芯片赛道方兴未艾，东芯半导体正在多年的攻坚基础上迎头追赶。东芯半导体致力于走贴近市场的研发方向，研发成果符合市场需求并持续与产业发展深度融合。同时，坚持以自主创新为驱动，不断更新迭代产品，持续微缩制程，提高良率，实现产品持续向市场渗透，为长期发展确立竞争优势。

【奖项申报入口】

2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在合肥举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与。

【年度持续创新奖】

“年度持续创新奖”旨在表彰在企业在发展过程中，能够凭借强大的技术沉淀和持续创新，不断站在行业技术前沿，并推动自身实现可持续发展的优秀企业。

【报名条件】

1、长期深耕半导体相关产业，具有显著的技术竞争优势；

2、企业高度重视技术的自主研发且在前沿技术方面有较大研发投入；

3、在公司发展过程中能够持续创新、迭代，技术创新成果能够助力企业实现可持续发展。

【评选标准】

1、技术持续创新频次及创新点40%；

2、创新技术产品转化情况40%；

3、创新技术对企业营收影响20%。