化合物衬底市场到2027年将达24亿美元

ole Intelligence表示，在功率和光子学应用的推动下，市场正以16%的复合年增长率增长。

根据Yole Intelligence最新的《2022年化合物半导体行业现状》报告，在功率和光子学应用的推动下，到2027年，化合物半导体衬底市场的价值将接近24亿美元，2021年至2027年的复合年增长率为16%。

几十年来，化合物半导体已被许多应用采用;最近，功率应用中的SiC和GaN，射频应用中的GaN和GaAs，光子学应用中的GaAs和InP，以及显示器中的LED和μLED都有不错的发展势头。因此，衬底和外延片市场也有望增长。

Yole集团旗下Yole Intelligence专门从事化合物半导体和新兴衬底的高级技术和市场分析师Poshun Chiu表示：“Wolfspeed是功率SiC和RF GaN的领先SiC衬底和外延片供应商。由于大尺寸衬底是下一代器件制造的战略资源，8英寸晶圆厂的开设和材料产能的扩大说明了未来十年的宏伟目标。

与此同时，II-VI完成了对Coherent的收购，并更名为Coherent，说明了其重点的转变。如今，Coherent是领先的光子器件厂商，也是功率和射频应用的领先SiC衬底供应商。此外，它正在与SEDI合作制造RF GaN器件，并已与GE一起进入功率SiC器件业务。两者都在加强从衬底层面到器件层面的竞争力。

AXT、住友电工、Freiberger和SICC是GaAs、InP和半绝缘SiC衬底的领先供应商。他们增加收入的目标依赖于扩展到其他化合物半导体材料。市场参与者们正在研究砷化镓和InP衬底在射频、光子和μLED应用中的协同作用。此外，半绝缘SiC的参与者正在进入n型SiC，因为它是一个增长率更高的市场。

Yole Intelligence化合物半导体和新兴衬底技术和市场分析师Taha Ayari表示：“外延片供应商受益于化合物半导体开放式外延片市场的不同动态。IQE一直参与各种化合物半导体市场（例如，RF GaAs和GaN），因为InP和GaAs光子学的两位数复合年增长率代表了市场的数量和规模。μLED是一个蓬勃发展的市场，预计未来五年每年翻一番。VPEC已成功成为公开市场上最大的RF GaAs外延片供应商，公司将继续增加其在光子学领域的参与度，以实现未来的增长。”

Yole在化合物半导体和新兴衬底领域的首席分析师Ezgi Dogmus表示：“随着LED、手机功率放大器以及电信和数据通信的发展，化合物半导体在1990年代随着GaAs和InP经历了它的第一个拐点。”

Yole表示，随着对5G连接、电动汽车和智能手机快充的需求进入市场，化合物半导体的数量和市场价值都将增长。展望未来，电动汽车，包括更高电压的应用、各种终端系统中的传感、从5G到6G的过渡以及μLED显示器，将为不同的化合物半导体材料带来拐点，还有更多新兴的衬底和新的应用将出现。

来源：雅时化合物半导体