DDR5加速渗透，封测龙头带来新消息

近日，封测龙头长电科技宣布，高性能动态随机存储DDR5芯片成品实现稳定量产。

随着5G高速网络、云端服务器、智能汽车等领域对存储系统性能的要求不断提升，DDR5芯片在服务器、数据中心等领域加速渗透。相比前代产品，DDR5因其速度更快、能耗更低、带宽更高、容量更大等优势，给用户带来更佳的可靠性和扩展性，市场前景广阔。

反映到芯片成品制造环节，包括DDR5在内的存储芯片效能不断提升，对芯片封装提出更高集成度、更好电气性能、更低时延，以及更短互连等要求。为此，长电科技通过各种先进的2.5D/3D封装技术，实现同尺寸器件中的高存储密度性能，满足市场的需求。

目前，长电科技的工艺能力可以实现16层芯片的堆叠，单层芯片厚度为35um，封装厚度为1mm左右。长电科技包括DDR在内各类存储产品已实现量产。长电科技表示，随着PC端、服务器端、以及消费端等领域对存储系统性能的要求不断提升，市场对DDR5的需求有望加速释放，为集成电路封测带来新机遇。

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