2天2个SiC项目投产、试产

希科：

正式投产 碳化硅外延片发布

11月23日，希科半导体召开碳化硅外延片投产发布会，宣布希科半导体碳化硅外延片正式投产。

据希科半导体创始人、总经理吕立平表示，他们的6英寸SiC外延片采用纯国产设备和完全自主的先进工艺，近期已通过两大权威机构的双重检测，具备媲美国际大厂SiC外延片的品质。

希科半导体成立于2021年8月，根据此前的项目环评公告，希科半导体拟投资7620万元，在苏州建设该碳化硅衬底修复外延验证技术研发项目，施工工期为4个月。预计建成后，可实现年研发碳化硅衬底外延片5000 片。

普兴：

碳化硅外延出片

11月22日，中电材料官微宣布，普兴电子新的外延材料产业基地第一片硅外延和碳化硅外延已于（本月）16日相继“出炉”，后续将进行新品全尺寸检测评估并向客户提供验证样片。

报道称，普兴电子于2021年9月启动了新产业基地建设项目，并于今年4月完成主厂房封顶，9月搬入首批生产、检验设备，11月实现了首片硅外延和碳化硅外延下线，这标志着新产业基地正式进入试生产和验证阶段。

普兴电子副总经理郝东波曾表示，普兴电子的外延材料产业基地建设项目总投资金额为16.7亿元，其中一期项目总投资5亿元。

据“行家说三代半”此前报道，普兴电子一期项目投产后，将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），预计可达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。