中国半导体论坛 振兴国产半导体产业！
11月22日消息，据外媒报导，韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）芯片，但不代表进展顺利。最新的爆料称，三星3nm GAA制程的良率非常糟，仅为20%。三星在今年6月底宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3纳米芯片，使用新的GAA (gate -全能)结构晶体管技术。三星方面表示，与最初使用FinFET的5nm工艺相比，第一代3nm GAA工艺节点在功耗、性能和面积(PPA)方面都有不同程度的改善，面积减少16%，性能提高23%，功耗降低45%。到第二代3nm芯片时，面积减小了35%，性能提高了30%，功耗降低了50%。
虽然三星在3nm工艺节点上似乎领先了一步，但实际生产并非一帆风顺。根据ctee的报告，与之前的4/5nm工艺一样，三星在3nm GAA工艺的生产中也遇到了挫折，良率只有20%。正是因为三星在4/5nm制程上的低良率，才迫使高通等主要客户将旗舰SoC订单转移给台积电。据外媒报道，为了克服生产过程中遇到的诸多障碍，三星选择与美国Silicon Frontline Technology公司合作，协助其提高3nm GAA工艺的良率。至于，为什么Silicon Frontline Technology 是理想的合作伙伴，原因是该公司已经藉由水质和静电放电（ESD）预防技术降低生产过程中的缺陷，以提高晶圆的生产良率。至于是否有实际收益，还要留意未来几个月三星的晶圆代工情况，看看是否有客户愿意下订单采用三星的先进工艺。有消息指出，如果三星的计划取得成效，高通可能会重新选择三星，在一些SoC上采用双代工厂的做法，以便更好地控制产能和成本。
报道称，静电放电是晶圆生产过程中产生缺陷的主要原因，这可以解释三星3纳米GAA 技术的良率过低的状况。到目前为止，虽然三星号称已经透过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果，但实际成果还需要在未来几个月内持续观察，届时客户不是将排队体验这种尖端制造技术，就是进一步转单到台积电去。目前，三星的3纳米GAA 技术制程除了之前有报道，表示三星将向加密货币设备商供应首批芯片之外，至今还未能向智能手机芯片设计商提供服务。除此之外，三星还有可能重新恢复与高通的合作伙伴关系，因为高通预计在未来的芯片生产当中，同时使用三星与台积电的多方供应模式。然而，如果三星继续让其3纳米GAA 技术制程的低良率情况发生，则许多客户可能会不愿向该公司下订单。
*免责声明：以上内容整理自网络，不代表半导体行业圈的观点和立场，仅供交流学习之用。如有任何疑问或异议，请留言与我们联系。
- END -
2022半导体行业春季招聘开始啦，海量职位等你来！
最新招聘职位：
1.设备工程师 15000-30000
2.工艺工程师 15000-30000
3.电气工程师 8000-20000
4.系统及算法设计工程师 16000-25000
5.电子工程师 10000-15000
6.半导体设备工艺工程师 15000-30000
7.生产测试工程师 16000-25000
8.YE工程师 10000-15000
9.工艺整合工程师 10000-15000
... ...
芯匠人才网半导体行业最专业，最精准的人才服务平台！
1.企业精准招人，请电脑登录网站www.xinjiangic.com芯匠人才网发布职位！
2.个人求职，可手机扫描下方二维码，发布个人简历（建议使用电脑登陆www.xinjiangic.com）
爆料｜投稿｜合作｜社群
文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通
投稿或商务合作请联系xd211ic
有偿新闻爆料请添加微信
xd211ic
新闻来源：半导体行业圈，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
