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来源:半导体前沿发布时间:2022-11-181316浏览
询问 AI11月17日，闻泰科技发布公告称，英国《国家安全和投资法》生效后，英国商业、能源和工业战略部大臣根据新的《国家安全和投资法》行使了法定权力追溯审查公司全资子公司安世半导体对NWF的收购。
该公告显示，11月17日，安世半导体收到英国商业、能源和工业战略部正式通知，要求安世半导体至少剥离NWF86%的股权。
经评估，NWF的收购金额、收入及净利润占公司相应指标的比例均小于1%，对公司影响较小，其目前的产能贡献对公司生产经营亦不构成重大影响。
英国时间11 月16日，安世半导体官网发布声明称，严正抗议英国政府勒令他们剥离子公司，并表示要挑战这道法令。
据悉，当天，英国商业、能源与工业战略部发布了《2021国家安全与投资法》最终命令，要求安世半导体在指定期间内要至少要出售Nexperia Newport Limited（NNL）至少86％的股份。
据悉，2019年安世半导体收购了 Newport Wafer Fab (NWF)14%股权；2021年7月，安世半导体又收购了NWF 86%股份，实现了100%控股。NWF后改名NNL。
在声明中，对于英国政府决定下令剥离NWF的行为，安世半导体表示，他们“对此感到震惊”。
安世半导体表示，NWF此前已经两次通过了英国政府的安全审查，从而才获批完成收购。为此，他们认为，英国政府以“国家安全问题”为由令人难以接受，安世半导体在解决英国政府的担忧做了许多补救措施，但被完全忽视了。
安世半导体还表示，英国政府没有跟他们进行有意义的对话，甚至也没有参观NWF工厂，就发布此次命令。
目前，NWF工厂有500 多名员工，他们对英国政府选择没有听取他们的意见就做出这一决定感到非常的担忧——安世半导体的撤资或将使得他们及其家人，以及超过1亿英镑的纳税人（NWF）的生计受到威胁，使他们陷入完全没有必要的风险。
来源：集微网等
作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。
碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期，同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主，相关项目20余个，投资逾300亿元；国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展，预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。
氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据，功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年，国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外，氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用，目前年出货量在3亿支左右，并且近期以20%的年增长率进行增长，预计2026年市场总量达到15亿美元。
第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会，重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。
会议主题
1.美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响
2.全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状
3.晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇
4.6吋SiC项目投资与市场需求展望
5.SiC PVT长晶技术液相法的现状及发展
6.8吋SiC国产化进程和技术突破
7.SiC市场以及技术发展难题解决方案
8.GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用
9.GaN在快充市场中的发展及替代情况
10.GaN激光器件技术和市场应用
11.国产化与技术及设备发展机遇与挑战
12.其他第三代半导体发展前景
13.工业参观与考察（重点企业或园区）
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