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来源:半导体前沿发布时间:2022-06-13992浏览
询问 AI日经亚洲评论周五 (6月10日) 报导，美国存储器大厂美光 (Micron) 将在今年下半年于日本量产「1β」制程的次世代 DRAM，但未透露「1 γ」制程计划。
美光执行副总裁兼事业长 Sumit Sadana 指出，美光正在与日本政府和商业伙伴协调，今年下半年在日本广岛新厂量产「1β」制程的次世代 DRAM。
Sadana 提到，美光在日本生产先进 DRAM 有很多积极因素，好比成熟的半导体产业和广岛人才库，美光有意持续在日本制造先进 DRAM。
1α 制程 DRAM 的存储器容量较前一代 (1z 制程) 提高 40%，推出时震撼业界，未来存储器创新奠定绝佳基础，而 1β 是 1α 的改良版。
美光 (MU-US) 研发部在美国，制造基地主要在中国台湾和日本广岛。目前美光正积极在日本扩建 DRAM 新厂，投资总额预估达 6,000 亿至8,000 亿日圆 (约人民币399 亿元)，预期日本政府将提供资金援助，未来十年在全球投资 1,500 亿美元。
此外，美光周五首度开放媒体参观台中A3 新厂，台湾美光新任董事长卢东晖表示，下半年会将 EUV 机台引入 A3 厂区，研发走廊，并在未来 2 至 3 年增聘 2000 名员工，加码投资台湾地区。
卢东晖表示，他上任的优先目标之一是加快 1β 与 1 γ制程的投产和量产，目前 A3 厂区已量产 1α 制程 DRAM，1β 制程预计明年量产， 1 γ 则要等到 2024 年。
美光看好云端需求及汽车芯片应用，存储器芯片未来需求长期看多，旗下 DRAM 及 NAND 快闪存储器后市前景极佳。
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