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来源:化合物半导体市场发布时间:2022-11-181257浏览
询问 AI11月16日,长平时代(广州)技术有限公司(以下简称“长平时代”)发布用于车载电子的6英寸900V硅基GaN外延片。

Source:长平时代
据介绍,这款外延片专为新能源汽车电驱系统开发,适用于目前更高效的800V电压架构。同样值得关注的是,这款外延片基于国产设备开发,属于完全自主可控。而且,实测参数表明,产品不均匀性小于2%,10年寿命下外推工作电压达到991V,电流崩塌量有效控制在±5%以内,翘曲量控制在±30µm以内。

硅基GaN外延片的翘曲度、不均匀性、表面形貌表征(Source:长平时代)

击穿电压表征及TDDB寿命预测(Source:长平时代)
天眼查显示,长平时代成立于2022年7月,注册资本1000万人民币,由欧洲顶级微电子中心归国团队创办,专注于新型功率半导体材料与芯片的研发、设计、生产及销售,公司实际控制人为李祥东。
据化合物半导体市场了解,目前商业化量产的GaN器件是650V,但汽车应用需要更高压的GaN器件。近两年来,随着汽车电气化进程的提速以及整车架构逐渐朝向更高压的方向发展,更高压的功率半导体材料成为企业研究和布局的重点。
就外延材料来看,国内厂商正在积极研发更高压的外延技术,并取得了一些进展。其中,晶湛半导体在2021年便展示了用于1200V电源应用的12英寸硅基GaN外延片。
海外企业也在加速推进高压GaN外延材料的研发。今年初,韩国IV Works宣布拟联合美国半导体设备公司Applied Materials(应用材料)合作开发1200V GaN功率半导体外延技术,最终目标是开发用于制造电动汽车充电器里的GaN HEMT。
从全球车用GaN产业的角度来看,晶湛半导体、长平时代等公布的利好消息透露着GaN技术正在逐步贴合汽车应用的需求,GaN在汽车市场的商业化应用进程有望加速。从国内车用GaN产业的角度来看,长平时代作为国产企业,采用国产设备成功开发性能表现良好的900V车用GaN外延片,一定程度上标志着国产GaN关键设备和材料环节的突破,未来可期。
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