传三星携手Silicon Frontline 解决4纳米低良率难题

传三星与Silicon Frontline合作，加速解决先进制程良率难题。法新社

三星电子(Samsung Electronics)晶圆代工事业部，似乎仍为提升4纳米良率苦恼，传出为了强化整体芯片检证可靠性，找上美国半导体验证解决方案业者Silicon Frontline展开合作。

韩媒ChosunBiz报导，三星晶圆代工虽然已推出4纳米制程，但产品良率与效能皆不稳定，甚至将最大客户高通(Qualcomm)拱手让给台积电。近日三星计划与美国Silicon Frontline强化合作，提升晶圆代工市场竞争力。

位于美国加州圣荷西的Silicon Frontline，为一家芯片解决方案评价及静电放电(ESD)防护技术业者，鉴于ESD是造成半导体产品不良重要原因，强化ESD预防技术，有助于提升产品良率。

相关人士表示，三星长期以来一直评估Silicon Frontline技术，试图导入芯片设计与生产，目前似乎取得令人满意成果，进一步强化芯片检证方面的合作别具意义。

三星晶圆代工从5纳米初开始，就有良率问题，4纳米同样面临类似困难，加速解决良率问题，将有助于三星跟台积电的竞争。

回顾2022年初，业界盛传三星4纳米良率低于50%，甚至有传言指三星4纳米良率约30~35%，即将量产的3纳米初期试产良率仅10~20%。

先前三星晶圆代工事业部生产的自家Exynos 2200，以及高通第一代骁龙8(Snapdragon 8 Gen 1)，皆采用4纳米制程，但从初期开始就存在效能不佳等问题，最后高通决定转单台积电；稍早9月，另一大客户NVIDIA也决定，将所有新推出的RTX40系列GPU，交由台积电4纳米生产。

责任编辑：张兴民