化合物半导体企业IPO：两家企业将上市，一家终止IPO

IPO之路可谓“一波三折”，有人激流勇进最终“上岸”，便有人审时度势暂时“止戈”。近日，便有三家LED相关企业，在IPO之路上迎来新进展。

三闯IPO，微导纳米进入上市前夜

这是微导纳米第三次冲刺资本市场。此前微导纳米曾分别于2020年6月和2020年12月递交科创板上市申请资料，但均在半年多后主动撤回了申请；第三次IPO申请于2022年3月获得受理，此后进展较为顺利，并在8月16日提交注册、在11月15日获证监会同意注册申请。

微导纳米以原子层沉积（ALD）技术为核心，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服务，业务涵盖集成电路、半导体、光伏、LEDMEMS、柔性电子、新能源等工业领域。

据悉，薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。薄膜沉积设备的设计制造涉及化学、物理、工程等多门学科的跨界综合运用，按工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）设备，按设备形态的不同可分为批量式（管式）和空间型（板式）两种技术路线。微导纳米目前产品主要以批量式（管式）ALD设备为主。

微导纳米介绍，ALD技术广泛适用于不同场景下的薄膜沉积，在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。目前，微导纳米已开发出适用于光伏、半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备，涵盖ALD、PEALD二合一、PECVD系列产品，并提供配套产品及服务。

其中，在半导体领域，微导纳米生产的设备在28nm逻辑器件制造过程中栅氧层工艺必备的高介电常数（High-k）材料沉积环节已产业化应用；同时，ALD设备沉积的HfO2、ZrO2、La2O3以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储（FeRAM）芯片的电容介质层，沉积的Al2O3、TiN、AlN可用于化合物半导体、量子器件的超导材料导电层等，上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单。

微导纳米拥有多项核心技术，包括原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术等。

在研项目方面，微导纳米正在实施的主要研发项目包括新一代化合物半导体MiniLED显示技术关键工艺技术研发及产业化、尖端半导体制造辅助装备开发、先进化合物半导体及微机电关键工艺及产业化应用、高阻隔膜产业化技术研发等。

本次冲刺IPO，微导纳米拟募资10亿，投向以下项目：

华为哈勃入股，源杰科技即将登陆资本市场

11月15日，证监会披露了关于同意陕西源杰半导体科技股份有限公司（以下简称：源杰科技）首次公开发行股票注册的批复，同意源杰科技科创板IPO注册申请。

源杰科技聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，主要产品包括2.5G、10G、25G及更高速率激光器芯片系列产品等，目前主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。

源杰科技还建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。

已实现向客户A1、海信宽带、中际旭创、博创科技、铭普光磁等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货，产品用于客户A、中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、ATT等国内外知名运营商网络中。

据了解，光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）作为芯片的衬底材料，相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合高频通信的特点，因而在光通信芯片领域得到重要应用。

其中，磷化铟（InP）衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓（GaAs）衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域。

招股书中，源杰科技还指出，2020年在磷化铟（InP）半导体激光器芯片产品对外销售的国内厂商中，公司收入排名第一，其中10G、25G激光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中均排名第一，2.5G激光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中排名领先。

发展至今，源杰科技获得多家知名机构的投资，其中不乏明星资本，包括华为旗下的哈勃投资、国开行旗下国开科创和国开基金、中信证券旗下中信投资、广发证券旗下广发乾和等国內知名投资基金等。其中，截至2022年9月2日，哈勃投资共持有源杰科技4.36%的股份，为源杰科技的第八大股东。

本次登陆资本市场，源杰科技拟募资9.8亿，投向以下项目：

其中，“10G、25G光芯片产线建设项目”和“50G光芯片产业化建设项目”是基于公司现有光芯片业务的进一步扩展和衍生，与主营业务密切相关。“10G、25G光芯片产线建设项目”将有助于解决公司目前所面临的10G、25G光芯片产线紧缺及产能受限的问题，从而提升市场供应能力，满足客户需求，促进公司的长远发展；“50G光芯片产业化建设项目”将助力50G高速光芯片的批量生产，促进公司抢占市场先机，推动国产化进程，提升公司所处的行业地位并增强其盈利能力。

“研发中心建设项目”致力于对公司现有研发中心进行升级，进行高功率硅光激光器、激光雷达光源等大量前瞻性研究并着力实现科研成果产业转化，保证公司产品技术的领先，推动新产品开发，从而提升公司科技创新能力并巩固行业地位。

为抢抓晶圆扩产，比亚迪半导体主动终止IPO

11月15日晚间，比亚迪发布公告称，将暂时终止比亚迪半导体分拆至创业板上市申请。

比亚迪解释，在公司推进比亚迪半导体分拆上市期间，我国新能源汽车行业需求呈爆发式增长，使得晶圆产能成为车规级功率半导体模块产能的瓶颈。

比亚迪半导体为了扩大晶圆产能，在审期间已投资实施济南功率半导体产能建设项目。目前济南项目已成功投产，产能爬坡情况良好，但面对新能源汽车行业的持续增长，新增晶圆产能仍远不能满足下游需求。为尽快提升产能供给能力和自主可控能力，比亚迪半导体拟抢抓时间窗口，开展大规模晶圆产能投资建设。在济南项目基础上，进一步增加大额投资，预计对比亚迪半导体未来资产和业务结构产生较大影响。

比亚迪表示，为加快晶圆产能建设，综合考虑行业发展情况及未来业务战略定位，统筹安排业务发展和资本运作规划，经充分谨慎的研究，公司决定终止推进本次分拆上市。

据悉，比亚迪半导体主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半导体的研发、生产及销售，覆盖了对电、光、磁等信号的感应、处理及控制，产品市场应用前景广阔。2019-2021年度，其主营业务收入及占比情况如下：

应用终端方面，在汽车领域，依托在车规级半导体研发应用的深厚积累，比亚迪半导体已量产IGBT、SiC器件、IPM、MCU、CMOS图像传感器、电磁传感器、LED光源及显示等产品，应用于汽车的电机驱动控制系统、整车热管理系统、车身控制系统、电池管理系统、车载影像系统、照明系统等重要领域。

在工业、家电、新能源和消费电子领域，比亚迪半导体已成功量产IGBT、IPM、MCU、

CMOS图像传感器、嵌入式指纹传感器、电磁传感器、电源IC、LED照明及显示等产品。

比亚迪原拟募资20亿，投向以下项目：

但此次终止IPO并不意味着结束。比亚迪指出，公司将加快相关投资扩产，待相关投资扩产完成后且条件成熟时，公司将择机再次启动比亚迪半导体分拆上市工作。