华为、宁德时代投资！这家公司发布8英寸碳化硅衬底

11月15日，在第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议暨首届第三代半导体徐州金龙湖峰会上，8英寸导电碳化硅衬底晶片发布。

据悉，8英寸导电碳化硅衬底晶片由天科合达生产，主要应用新能源汽车、光伏等领域，将有助于降低芯片制造成本。

天科合达副总经理、技术总监刘春俊介绍，在碳化硅器件各环节中，衬底占成本的近50%。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低，8英寸衬底晶片产品比6英寸产品可多切近90%的芯片，边缘浪费降低7%。

近年来，徐州经开区实现此前国内空白的鑫华电子级多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通线量产，中科智芯晶圆级先进封装、晶凯存储芯片封装模组等一批重大项目成功落地。今年前10个月，该产业实现产值87亿元、同比增长52%。

徐州市委常委、经开区党工委书记张克表示，经开区将加快推进天科合达二期年产16万片碳化硅衬底晶片以及三期100万片外延片、华盛盈科碳化硅封测及模组等项目，支持中科汉韵碳化硅功率器件达产达效，全力构建衬底、外延片、器件、封测等较为完备的第三代半导体产业链。

据悉，天科合达成立于2006年9月，主营第三代半导体SiC材料的研发、生产及销售，拥有国内第一条SiC衬底中试生产线，核心产品是SiC衬底（导电型和半绝缘型），同时也提供SiC籽晶、晶体等其他SiC产品及SiC单晶生长炉。

作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达建立了六大自主知识产权的SiC核心技术体系，在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底并掌握了制造技术，相继实现2-6英寸SiC衬底产品的规模化供应。

公司屡受资本青睐，完成了多轮融资，投资者包括华为哈勃、宁德时代和大基金等大咖。

2017年至2020年3月，天科合达营收分别为2407万元、7813万元、1.55亿元、3223万元；归母净利润分别为-2035万元、194万元、3004万元、440万元。