国产8吋SiC正式发布; 将建100万片项目

11月15日，据金龙湖发布官微消息，天科合达举行了8英寸碳化硅新产品发布会，向行业宣布了8英寸产品的关键进展。

据天科合达副总经理、技术总监刘春俊介绍，在碳化硅器件各环节中，衬底占成本的近50％。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。比如8英寸产品比6英寸产品可多切近90％的芯片，边缘浪费降低7％。

除了公布8吋碳化硅衬底外，天科合达还对外公布了产能扩张计划。

会议上，北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建称，目前产能正在不断突破，北京二期和徐州二期也在进一步规划中，预计2025年底，6英寸有效年产能达到55万片，6到8英寸可根据实际需求进行快速产能切换，今后公司的国际竞争力和品牌影响力会进一步增强。

而据徐州市委常委、经开区党工委书记张克透露，他们将加快推进天科合达二期碳化硅衬底晶片项目（16万片）以及三期碳化硅外延片项目（100万片）。