数亿元/25万片！国内最大GaN基地将投产
来源:第三代半导体风向发布时间:2022-11-073516浏览
询问 AI最近，氮化镓外延领域也传来2个好消息：晶湛半导体总部大楼封顶11月5日，苏州纳米城发布消息称，晶湛半导体总部大楼正式封顶。预计完全建成后，将成为国内规模最大的GaN电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。
报道称，晶湛半导体总部大楼于2021年12月开工建设，厂房占地面积约为1.1万平方米，总建筑面积约2.3万平方米。
今年3月，晶湛半导体还融资数亿元，资金用于建设公司总部和研发中心。近两年，晶湛半导体也在持续扩产，合计产能将高达25万片。- 2021年12月，晶湛半导体拟投资2.8亿元扩建氮化镓外延片生产项目，计划生产6英寸和8英寸氮化镓外延片，年产能预计达24万片，目前该项目已于2021年11月开工建设，预计2023年2月完成建筑施工。
- 2022年4月，晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片环评进行第一次公示。根据公告，晶湛半导体计划扩建氮化镓外延片，预计投产后将年新增氮化镓外延片1万片。
公开资料显示，2014年，晶湛在全球首次发布商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片产品；2021年6月，研发出击穿电压超过10kV的GaN器件；2021年9月，成功全球首发12英寸、1200V的硅基GaN外延片。宏光半导体已开始生产6英寸外延片11月1日，宏光半导体发布公告称，他们已经开始生产6英寸GaN功率器件外延片，预计2023年Q2将开始芯片试产，并于2024年初前开始投产。
据了解，宏光半导体主要于中国从事设计、开发、制造、分包服务及销售半导体产品，包括发光二极管（LED）灯珠、GaN芯片、GaN器件及其相关应用产品以及快速电池充电产品。今年9月，宏光半导体与具有“新能源之王”等称呼的协鑫科技创办人朱共山正式签订股份及认股权证认购协议，这标志着朱共山成为宏光半导体主要战略股东。同时，他们还与协鑫集团正式签订了战略合作框架协议，拟于GaN功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，全速推进在GaN产业链上的布局。
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