优睿谱首台国产SiC外延膜厚测量FTIR设备正式交付客户

上海优睿谱半导体设备有限公司（简称“优睿谱”）再斩获佳绩。近日，公司首台国产碳化硅（SiC）外延膜厚测量FTIR设备Eos 200Lite正式交付客户。

FTIR是一款利用红外光谱经傅里叶变换来分析各种外延层厚度以及元素浓度的测量设备，可用于测量一代半导体（硅外延片）、二代半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延）、三代半导体（碳化硅、氮化镓外延片）、分子束外延（MBE）等的外延层厚度，光刻胶厚度及CMP 抛光后的厚度，以及测定半导体制程各种元素浓度。长期以来，半导体FTIR市场被Nanometrics（现Onto innovation）、赛默飞等国际设备厂商所垄断。

优睿谱介绍，Eos200Lite是公司外延膜厚度和元素浓度全自动测量系统的一员，是专为碳化硅外延膜厚测量而设计的一款全自动、非接触式设备，采用高速晶圆传输、创新的模块化光学系统设计等，具有小型化、高产能、低运营和维护费用等优势。同时，设备用户使用界面友好，适用于标准清洁环境。该产品可以集成SECS/GEM功能模块，实现和客户工厂自动化对接。

此前，优睿谱已于6月份向硅外延客户交付国内首台自主研发的半导体专用FTIR测量设备Eos200，该设备于8月底通过客户测试，正式在客户端上线使用。Eos200采用模块化设计理念，在整机性能达到国外竞品同等水平情况下，还大幅降低了客户的使用及维护成本。得益于卓越的供应链资源，优睿谱可大幅缩短设备交付周期。

优睿谱成立于2021年，由长期从事于半导体行业的海归博士领衔，协同国内资深的半导体前道制程量测设备技术团队共同发起成立，致力于打造高品质的半导体前道量测设备。8月份，优睿谱宣布完成数千万元Pre-A轮融资，融资主要用于半导体专用FTIR(傅立叶变换红外光谱)测量设备Eos200/Eos300、Selene以及Helios系列产品的量产及新设备的开发。