瀚天天成碳化硅项目二期竣工，预计Q2投产！

近日，据厦门火炬高技术产业开发区消息，位于高新区同翔高新城（翔安片区）的瀚天天成碳化硅产业园二期顺利竣工，并于3月底进行联合验收，项目计划今年二季度投产。

据了解，瀚天天成碳化硅产业园项目总投资6.3亿元，一期项目已建成投产。拟建设6英寸SiC外延晶片生产线项目，建成投产后预计年产值20亿元。

瀚天天成成立于2011年，是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业，我国碳化硅外延龙头企业，也是华为哈勃投资的第一家碳化硅外延企业。

此前，瀚天天成曾表示，将于今年正式迁入新建的碳化硅产业园，并将首次突破碳化硅外延年出货量10万片大关，年底前产能将远超国际竞争对手。

碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。一般采用PVT方法，高温（达2000多度）、加工周期较长、产出较低，因而碳化硅衬底的成本较高。

外延工艺是产业中极关键的工艺。现在所有器件基本上都是在外延上实现，所以外延的质量对器件的性能是影响很大，但外延的质量受到晶体和衬底加工的影响，处在产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。

碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。

目前，在全球市场中，外延片企业主要有 DowCorning、II-VI、Norstel、Wolfspeed、罗姆、三菱电机、Infineon 等。在中国大陆地区，纯粹做外延片的有瀚天天成和东莞天域半导体等企业。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

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