“世界硅王”强势入局，宏光半导体待势乘时迈入GaN快车道

又一巨头入局第三代半导体产业了。

9月8日，宏光半导体（6908.HK）发布公告称，经过董事会同意，公司于9月7日与协鑫集团正式签订了战略合作框架协议，拟于氮化镓（GaN）功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作。9月30日，宏光半导体与协鑫科技创办人朱共山正式签定股份及认股权证认购协议，标志着朱共山成为宏光半导体主要战略股东。
值得注意的是，作为协鑫科技的创办人，朱共山冠有“一代硅王”、“民营电王”、“新能源之王”等美誉，在中国乃至全球新能源行业的“话语权”和影响力早已众所周知。当前，第三代半导体产业发展得如火如荼，多家半导体企业开始积极布局第三代半导体产业，相关企业股价也随即走高。
此时与宏光半导体合作，是协鑫集团赶乘第三代半导体风口，抢占未来的一步先手棋。朱共山此举背后，有何深意？

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强强联合，寄望破局

资料显示，宏光半导体成立于2010年，前身为宏光照明控股有限公司，其主要产品包括LED灯珠、GaN芯片、GaN器件和相关GaN应用产品，以及快速充电产品。
朱共山先生是协鑫集团创始人及董事长。截至目前，协鑫集团资产规模近2,000亿元，年度营业收入连续多年超1,000亿元，旗下拥有协鑫科技、协鑫集成、协鑫新能源、协鑫能科等多家A股及H股上市公司。
根据战略合作框架协议，宏光半导体和协鑫集团计划成立合资子公司，就GaN功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，共同探索GaN技术在充电、换电、储能和光伏逆变器等众多领域的应用，开发基于硅基功率芯片及第三代半导体的应用产品，携手进入新能源产业供应链市场。

战略合作框架协议，图源：宏光半导体官网

针对此次合作，宏光半导体表示，继认购股份后，集团获得朱共山先生之家族信托订立战略合作框架协议，进一步深化双方合作关系，充分体现了朱先生对宏光半导体发展第三代半导体业务的重视，并对集团的发展报以充分信心，相信能在合作中实现积极创新及互利共赢。

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研发投入不断上升

加码布局GaN产业链

“世界硅王”慧眼识金，宏光半导体必有其过人之处。近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料迎来市场倍增与产能扩张，宏光半导体对此的重视程度，亦可从其中期业绩报告窥见一斑。

2022年8月，宏光半导体所发布的中期业绩资料显示，由于上半年市场大环境逆风，加上公司仍处于第三代半导体的投入阶段，因此尚未实现盈利。但值得关注的是，该企业已经成功实现战略转型，将业务扩展至第三代半导体芯片设计制造及系统应用解决方案等领域。

达成多方战略合作，共建GaN生态体系

回望过去一年，宏光半导体在第三代半导体领域动作频频：不仅收购了主要从事快速电池充电系统解决方案研发的GSR GO Holding Cooperation，还投资了专注高电压新能源汽车领域的以色列GaN相关产品开发商VisIC Technologies Ltd，以及专注民用产品领域的加拿大GaN技术领导者GaN Systems Inc。
此外，宏光半导体还与中国泰坦、GUH Holdings Berhad、科通芯城集团、罗马仕、鸿智电通等多家企业订立了战略及框架合作协议，以加快GaN的密集研发与技术应用。

种种举动表明，宏光半导体试图通过战略投资控股及建立互利共赢的战略合作关系，来获得合作方在半导体上的专业技术支持及授权，从而间接提高公司产品自身的创新生产制造能力。

研发+人才双管齐下，构筑企业护城河

在研发投入方面，宏光半导体已在深圳设立研发中心，用于加强材料和器件的设计、制作。2021年，宏光半导体厂房落地徐州，拟在工厂内安装两条用作生产包括GaN相关产品在内的电子产品生产线，预计将于2024年初前开始投产。

今年上半年，宏光半导体把更多资金投入到第三代半导体领域。据中期业绩报告显示，其研发成本按年大幅增长4.6倍至1,690万元。除了去年获取六项关于充电站的快速充电蓄电池系统、充电转换系统及充电模块以及适用于电动汽车充电站的快速充电设备的专利外，宏光半导体今年上半年亦申请注册五个发明专利、一个实用新型以及一个外观专利。

除了大规模投入自主研发，宏光还积极招揽人才收归麾下，持续实现科技创新。其生产管理团队包括GaN半导体业务核心专家陈振博士、GaN HEMT器件设计和工艺制造核心专家Thomas Hu博士、以及半导体行业及晶圆代工技术及管理方面均具有丰富经验的吕瑞霖先生和闵军辉先生等。这些科研团队专家无一不是GaN与半导体领域的佼佼者。研发团队阵容之豪华，为宏光以GaN领域为核心的第三代半导体布局上紧“保险栓”。

由此可见，在充满不确定的乌卡时代下，宏光半导体正从强化科技研发积极布局，不断增强品牌硬件实力，在第三代半导体的建设道路跑出加速度。

前瞻布局第三代半导体，步入研发收成期

在紧锣密鼓多维战略投资后，宏光半导体即将迎来第一波收成：

今年下半年，企业计划与战略合作伙伴合作推出快充充电器、充电桩等快充产品，并开始实现收入贡献，长远有望成为主要收入增长动力之一。

芯片研发方面，企业预计今年年底前将有半成品外延片产出，明年第二季芯片开始试产，明年第四季开始集中正式投产。而在2024年，陆续开始制造芯片。

尽管芯片业务在今年内未能入账，但预计自2023年开始提供收入贡献，2023年/2024年的收入将分别按年增长150%/330%至分别2.68 亿元/11.53亿元。

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深挖战略红利

发挥协同效应

近期，美国拜登政府签署《芯片与科学法案》，后继出台一系列限制令，在这一政策影响下，我国芯片自主可控的必要性和紧迫性或将提升至国家重点战略层面，促使我国半导体产业更加自立自强，加速国产替代和自主创新，为芯片半导体板块提供长期且强有力的支持。

从发展角度来看，我国在第三代半导体领域与国际先进技术的差距较小，且新能源产业国际领先，有广泛的第三代半导体应用市场，因此这一赛道也被普遍认为是中国在半导体领域“弯道超车”的重要机会。上至《中国制造2025》和“十四五”国家研发计划，下至地方布局规划，无不体现出第三代半导体受到了国家的高度重视。

中国第三代半导体材料相关政策，图源：DeepTech

第三代半导体材料本身具备高频、高效、节能等特性。因而在新能源车、光伏、风电、5G通信等领域，都有着很大应用潜力。

尽管半导体行业处于逆周期，但800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等细分市场的快速发展，推升了第三代功率半导体的市场需求。其中，市调机构和业内人士对第三代半导体GaN的发展前景颇为看好。

近几年来，全球GaN产业规模呈现爆发式增长。据分析机构Yole Développement数据显示，2021年全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元，受消费类电子、电信及数据通信、电动汽车应用的驱动，预计到2027年增长至20亿美元，复合年均增长率为59%。

GaN功率器件市场规模，图源：YoleDéveloppement

据前瞻产业研究院预测，全球GaN元件市场规模预计2026年将增长到423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。虽然GaN还处于起步阶段，但其高功率、轻体积的优势将会逐步显现，全球GaN市场规模与材料渗透率有望持续上升。

业内人士指出，GaN能够在高频条件下工作并保持高性能、高效率，与以前使用的硅晶体管相比，具有更低的损耗，是一种已经投入使用的半导体材料，先前已广泛应用于LED照明领域和日益重要的无线领域中。随着工艺进步和故障率的降低，GaN在交流与直流电源转换、电平转换等应用上发挥了很多优势，正在推动着高效电源转换时代的来临，在细分领域市场占有一席之地。

GaN应用场景，图源：安信证券研究中心

结合宏光半导体全速加码在GaN产业链上的布局，也能明显看出其打算在GaN领域深度发展的决心。凭借其前身“宏光照明”在LED制造方面的专业能力及研发经验，宏光半导体正迁移落实至第三代半导体GaN的业务转型，期冀未来能够实现国有替代技术突围，放大半导体“新黑马”的辐射效应。

此外，著名投资人赵国雄、朱共山的先后投资入股，亦为宏光提供了强有力的站台后盾，有利于释放资源整合新潜能。

作为李嘉诚旗下长实集团的现任执董和其最为倚重的大将之一，赵国雄于今年7月将宏光的持股比例由4.88%增至5.15%，足以见其对第三代半导体背后巨大商机的肯定。

而世界光伏领军企业协鑫集团创办人朱共山的加持，不仅能够提升宏光半导体的行业知名度与影响力，还能以自身新能源行业龙头地位，为其在徐州布设的半导体生产厂房提供资源平台与技术协同，实现建链补链强链。

由此可见，宏光半导体布局手机快充、汽车充电、储能和新能源等应用市场，实是洞见转型趋势，顺势谋变，加速向前。

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扩能延链，未来可期

众所周知，我国已成为新能源汽车最大的生产国和全球最大的新能源汽车市场，光伏和风电装机量规模也均是世界第一。发展第三代半导体产业，对于一个能源大国而言，不仅仅在于行业规模和产值，其提升效率、节约能耗的特性，同样可以创造出巨大的社会价值。

伴随着政府的利好政策驱动、广泛的下游应用市场和国产替代机遇，在“双碳”目标的加持下，国产第三代半导体正迎来难得的发展机遇。

宏光半导体已在第三代半导体这一赛道投入大量资源，即将步入战略收成期，或将成为国内第三代半导体领域的一匹黑马，在政策红利、产业发展、人才助阵、资本加持的多重因素下，有望成为国内首屈一指的集研发、制造、封测及销售为一体的全产业链半导体整合设备生产模式企业。