英诺赛科InnoGaN导入车充、LED照明，650V产品扩容

日前，英诺赛科宣布已拥有全系列InnoGaN 650V E-mode GaN HEMT器件，即在原有140mΩ、240mΩ、500mΩ RDS(on) 器件的基础上，新增了190mΩ、350mΩ、600mΩ RDS(on) 器件，采用行业标准的8x8、5x6 DFN封装，产品矩阵显著扩大。

英诺赛科表示，650V HEMT器件通过了JEDEC（联合电子工程会议）芯片封装标准，也通过了动态高温工作寿命测试 (DHTOL) 及JEP180评估指南的可靠性测试。据悉，后者是JEDEC针对GaN技术最新发布的指南，全称是JEP180《氮化镓功率转换器件的开关可靠性评估程序指南》。

此外，英诺赛科的650V HEMT器件也经过超1000V的加速寿命测试，在80%额定电压（520V、150°C、0.01% 失效率）条件下，寿命计算为36年。

Source：拍信网

新型器件具备800V漏源电压（VDS）瞬变，脉冲时间可延长至200µs（非重复性），同时，对于190mΩ RDS(on) 器件来说，重复脉冲可达750V、100ns。与650V产品类似，190mΩ、350mΩ、600mΩ RDS(on) 器件皆具有强大的防静电保护电路，内置在芯片里，有利于器件的大规模生产组装和简易处理。

新产品适用于功率因数校正（PFC）转换器和DC-DC转换器方案，涵盖LED驱动器、快充、笔记本和一体式电脑（AiO）适配器，以及应用于台式电脑、电视机、电动工具等多种场景的电源适配器。

英诺赛科介绍，GaN器件没有体二极管，所以反向恢复损耗远低于Si MOSFET，品质因数（FOM值）则高得多，这意味着GaN HEMT (比如英诺赛科的650V系列新产品)可用于PFC应用的简单图腾柱结构，且没有像硅器件一样带来高损耗，同时还带来BOM 成本降低的收益。结合这一点优势及高频率性能，InnoGaN可帮助缩小无源器件的尺寸，实现更紧凑的系统设计。

英诺赛科表示，新产品的推出完善了公司650V 100-600mΩ 器件产品组合，其中，650V/190mΩ正在成为GaN行业的标准产品，为客户在选择GaN应用产品供应商方面提供了极高的灵活性。

据化合物半导体市场了解，目前英诺赛科InnoGaN已广泛应用至手机快充、手机内部充电保护、车载USB 充电器及LED驱动器领域，现已拓展了安克、mophie、Oppo、realme、努比亚、绿联、倍思、闪极、REMAX等消费电子快充客户，以及首诺信车载充电器、暗能量LED照明客户，客户群正在随着其产品矩阵的扩大而逐步壮大。