士兰微：士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功

杭州士兰微电子股份有限公司10月24日发布对外投资进展公告称，近期，士兰明镓 SiC 功率器件生产线已实现初步通线，首个 SiC 器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6 英寸SiC芯片的生产能力。公司目前已完成第一代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将 SiC-MOSFET 芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。

资料显示，杭州士兰微电子股份有限公司与厦门半导体投资集团有限公司于 2017 年 12 月 18 日在中国厦门共同签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》，双方合作在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线，总投资 50亿元，其中一期

总投资20亿元，二期总投资30亿元。根据《投资合作协议》，双方在厦门市海沧区共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司。截至 2021 年底，士兰明镓已完成第一期 20 亿元的投资，形成了每月 7.2万片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的产能，其产品在小间距显示、mini LED显示屏、红外光耦、安防监控、车用 LED 等领域得到广泛应用。

士兰明镓已于2022年7月正式启动化合物半导体第二期建设项目，即“SiC功率器件生产线建设项目”。本项目计划投资15亿元，建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能，其中SiC-MOSFET芯片12万片/年、SiC-SBD芯片2.4万片/年。