三代半功率器件突破！鸿海9月量产1200V 碳化硅MOSFET，并启动8吋SiC晶体开发
来源:半导体前沿发布时间:2022-10-19999浏览
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10月19日消息，在昨日举行的2022年度鸿海科技日（HHTD22）上，鸿海科技在发布全新电动汽车的同时，也展示了其面向电动汽车的第三代半导体碳化硅（SiC）器件研发成果，不仅已具备量产SiCMOSFET的能力，还启动了开发8英寸SiC晶圆的工作。
据鸿海科技现场工作人员介绍，鸿海正积极布局面碳化硅功率元件，第三季度已启动开发8吋SiC晶体，旗下鸿扬半导体自主开的发1200V碳化硅为基础的金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET），已在9月开始产出，并结合不同功率元件设计。
在技术部分，工作人员指出，鸿扬在碳化硅元件已具备模拟能力，提供客户制程参数，供元件设计参考，此外鸿扬也可提供制程代工服务、以及电性量测服务，提供具有竞争力的碳化硅功率元件。
展望应用，工作人员表示，鸿扬的1200V SiC MOSFET元件，可应用在车载AC/DC、DC/DC电流转换器、车载充电器（OBC）、以及太阳光电逆变器等。
鸿海也展示与盛新材料合作6吋SiC导电型（N-type）晶圆基板产品，可应用在电动车、轨道交通、以及大功率输电发电等领域。现场工作人员透露，第3季鸿海与盛新材料合作，开始研发8吋SiC晶体。
鸿海集团去年8月以新台币25.2亿元取得旺宏竹科6吋晶圆厂、布局碳化硅晶圆制造，以鸿扬半导体为主体，预计今年底产线建置完成，明年上线生产。
来源：经济日报
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最新日程：
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11月18日，苏州 |
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美国芯片法案与四方联盟（Chip4）对中国大陆芯片发展的影响 ——罗仕洲博士欢芯鼓伍创始人（已定） |
主题待定 ——安捷伦科技有限公司（已定） |
全球大硅片供需与竞争格局 ——寰球晶圆股份有限公司（邀请中） |
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新形势下中国集成电路与大硅片产业趋势 ——天津中环领先材料技术有限公司（邀请中） |
8英寸SiC衬底技术进展 ——山东天岳先进材料科技有限公司（邀请中） |
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