近日，杭州士兰微发布2022年度非公开发行A股股票预案。士兰微在本次非公开发行A股股票募集资金总额不超过650,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投资于如下项目：
按照士兰微所说，半导体集成电路是全球重点产业之一，是当今世界竞争最激烈、发展最迅速的领域，对世界经济的发展有着强有力的驱动作用，是21 世纪信息社会高新技术产业的重要基础。
中国半导体行业经过三十多年的发展，经历了自主研发创业、引进提高和重点建设三个重要发展阶段。目前，中国半导体产业虽然已有一定的产业基础，但是在产品设计开发能力、生产技术水平、产品销售额和市场占比等方面，与经济发达国家相比仍有相当的距离，其中核心的关键产品仍以进口为主。面对国内外半导体广阔的市场需求和发展机遇，大力发展中国的半导体产业是国民经济信息化和实现中国国民经济发展第三步战略目标的迫切需要，也是增强中国在下一个世纪综合经济实力和竞争实力的必然要求。
我国“十四五”规划将半导体和集成电路列为“事关国家安全和发展全局的基础核心领域”，集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发以及集成电路先进工艺、IGBT 和 MEMS 等特色工艺突破都被予以重点关注。政策的强力支持将持续推动中国半导体产业的技术升级，推动一批有实力的国产厂商打破国际巨头的技术垄断，逐步推动半导体全产业链国产替代的进程。
士兰微进一步指出，功率芯片可以用来控制电路通断，从而实现电力变换。据 Omida 预计，2021年全球和中国功率半导体市场空间分别为 462 亿美元和 182 亿美元，至 2025 年有望分别达到 548 亿美元和 195 亿美元，2021 年至 2025 年的复合增速分别为5.92%和 4.55%。
而作为第三代半导体材料的典型代表，SiC 具有宽禁带宽度，高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。在新能源汽车领域，SiC 功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载 DC/DC 转换器、车载充电器（OBC）等。车载充电器和充电桩使用 SiC 器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。
据 Yole 预测，2025 年全球 SiC 功率半导体市场规模将达到 25.62 亿美元，2019-2025 年均复合增长率超过 30%；其中新能源汽车市场（主逆变器+车载充电器+车载 DC/DC 转换器）规模占比最大，增速最快，2025 年新能源汽车市场 SiC 功率半导体规模达到 15.53 亿美元，2019-2025年均复合增长率达到 38%。随着新能源汽车及其充电系统的快速发展，SiC 功率半导体市场空间广阔。
在士兰微方面，经过二十多年的发展，坚持走“设计制造一体化”道路的公司已经打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从 5 吋到 12 吋”的跨越，在功率半导体（功率 IC、功率器件和功率模块）、MEMS 传感器、光电产品和高端 LED 芯片等领域构筑了核心竞争力，已成为目前国内最主要的半导体 IDM 企业之一。
士兰微表示，本次非公开发行募集资金拟主要用于投资建设“年产 36 万片 12 英寸芯片生产线项目”、“SiC 功率器件生产线建设项目”和“汽车半导体封装项目（一期）”。其中，“年产 36 万片 12 英寸芯片生产线项目”建成后将形成一条年产 36 万片 12英寸功率芯片生产线，用于生产 FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片产品；“SiC 功率器件生产线建设项目”达产后将新增年产 14.4 万片SiC-MOSFET/SBD 功率半导体器件芯片的生产能力；“汽车半导体封装项目（一期）”达产后将实现年产 720 万块汽车级功率模块的新增产能。
按照士兰微所说，上述三个项目建设系公司在高端功率半导体领域的核心战略规划之一，是公司积极推进产品结构升级转型的重要举措。公司将充分利用自身在车规和工业级功率半导体器件与模块领域的技术优势和 IDM 模式下的长期积累，把握当前汽车和新能源产业快速发展的机遇，进一步加快产品结构调整步伐，抓住国内高门槛行业和客户积极导入国产芯片的时间窗口，扩大公司功率芯片产能规模、销售占比和成本优势，不断提升市场份额和盈利能力。该项目的顺利实施有助于提高公司对下游市场的供货保障能力和客户供应链安全性，持续巩固公司国内半导体IDM 龙头企业优势地位，实现打造具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商的战略发展目标。
本次募集资金投资项目的具体情况
（一）年产 36 万片 12 英寸芯片生产线项目
1、项目概况年产 36 万片 12 英寸芯片生产线项目系公司加快产能建设和产品技术升级、持续巩固国内半导体 IDM 龙头企业优势地位、把握功率半导体领域发展机遇、打造具有国际一流竞争力的综合性半导体产品供应商这一战略发展目标而计划实施的投资项目。
项目实施主体为公司控股子公司士兰集昕，募集资金将通过公司向士兰集昕增资的方式投入；项目建设地点为浙江省杭州钱塘新区（下沙）M6-19-3（东区10 号路与 19 号路交叉口）地块。该项目将建设形成一条年产 36 万片 12 英寸功率芯片生产线，用于生产 FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片产品；项目达产后，新增 FS-IGBT 功率芯片 12 万片/年、T-DPMOSFET 功率芯片12 万片/年和 SGT-MOSFET 功率芯片 12 万片/年的生产能力。
（二）SiC 功率器件生产线建设项目1、项目概况SiC 功率器件生产线建设项目系公司加快产能建设和产品技术升级、持续巩固国内半导体 IDM 龙头企业优势地位、把握功率半导体领域发展机遇、打造具有国际一流竞争力的综合性半导体产品供应商这一战略发展目标而计划实施的投资项目。
项目实施主体为公司的参股子公司士兰明镓，募集资金将通过公司向士兰明镓增资的方式投入，本次增资后公司将取得士兰明镓的控制权；项目建设地点为福建省厦门市海沧区兰英路 99 号。该项目在士兰明镓现有芯片生产线及配套设施的基础上，通过购置生产设备提升 SiC 功率器件芯片的产能，用于生产 SiCMOSFET、SiC SBD 芯片产品；项目达产后，将新增 SiC MOSFET 芯片 12 万片/年、SiC SBD 芯片 2.4 万片/年的生产能力。
（三）汽车半导体封装项目（一期）1、项目概况汽车半导体封装项目（一期）系公司加快产能建设和产品技术升级、持续巩固国内半导体 IDM 龙头企业优势地位、把握功率半导体领域发展机遇、打造具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商这一战略发展目标而计划实施的投资项目。
项目实施主体为公司控股子公司成都士兰，募集资金将通过公司向成都士兰增资的方式投入；项目建设地点为四川省成都市成都-阿坝工业集中发展区。该项目将在现有功率模块封装生产线及配套设施的基础上，通过购置模块封装生产设备提升汽车级功率模块的产能；项目达产后，新增年产 720 万块汽车级功率模块。
