扩产、签约！碳化硅新势力SK siltron忙不停

以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，凭借更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，广泛地应用于新能源汽车、新能源光伏、5G宏基站、风电、国防军工等领域，近年来产业高速发展，国内外厂商纷纷发力。

日前，SK siltron与IQE达成战略合作协议，专注于化合物半导体产品的研发及商业化。

IQE 和 SK siltron 将专注于开发和提供碳化硅基 (SiC) 氮化镓 (GaN) 创新外延片，用于无线通信市场的射频应用，以及硅基氮化镓 (Si)在一系列市场中的电力电子应用，这些氮化镓器件市场总额可达数十亿美元，预计在消费、电信和汽车应用方面会有强劲增长。

今年以来，SK siltron动态连连。

3月，SK siltron在美国密歇根州贝城建设的SiC半导体晶圆工厂正式投入运营，韩媒表示年产量预计将在6万片晶圆左右。

该晶圆厂将生产SiC晶圆的基材，即晶锭和衬底，6英寸SiC衬底是主要产品。

9月，SK Siltron计划与RFHIC和Yes Power Technix成立一家合资企业，开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体。该计划正在等待SK集团控股公司SK Inc.的批准。

SK siltron是韩国SK集团旗下韩国唯一的半导体晶圆制造商，是当前全球第五大硅晶圆厂商。目前，该公司在韩国、美国生产SiC晶圆，也在开发GaN晶圆。此前，SK集团曾宣布，计划在SiC半导体晶圆业务上投资7000亿韩元（约合人民币38.22亿元）。

目前，SK siltron在美国密歇根州有两家晶圆厂。