智新半导体成功研制碳化硅功率模块，二期项目正启动

根据湖北日报消息，智新半导体目前已成功研制出基于第三代半导体碳化硅的功率模块，能实现更低损耗、更高效率，并承受更高温度、更高电压。搭载到整车上后，能进一步提升车辆的续航里程、减少整车成本。

据悉，智新半导体成立于2019年6月，由东风公司与中国中车两大央企在武汉合资成立。2021年7月，智新半导体正式将IGBT生产线投入量产，该产线以第六代IGBT技术为基础，首批下线的IGBT模块将搭载于东风风神、岚图等自主品牌车型上。

产能方面，智新半导体建成的一期项目年产能为30万只。目前，智新半导体正启动二期项目建设方案，预计2024年建成，届时年产能将达到120万只，不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求，还能为其他车企供货。

据了解，碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导率等特点，在射频、功率器件领域具备较强的优势，未来有望在新能源汽车、光伏、工业应用、轨道交通等领域逐步完成对硅基器件的替代。

其中，新能源汽车是碳化硅最大的下游应用市场，现已成为车厂及传统功率器件大厂的“兵家必争之地”。

车厂方面，除了东风汽车与中国中车联合成立的智新半导体外，还有上汽集团与英飞凌公司合资设立了上汽英飞凌、理想汽车与湖南三安共同出资组建了斯科半导体等。

传统功率器件大厂方面，斯达半导、中车时代、士兰微、华润微、捷捷微电等，均在加速推进碳化硅器件的研发及市场化。