两家国产半导体企业推出SiC新品

近日，世纪金光、仙湖半导体纷纷宣布推出SiC产品。

世纪金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件

世纪金光专注于碳化硅功能材料和功率器件的研发与生产。根据公司官方消息，世纪金光于9月26日推出了新款SiC功率器件——第二代1200V 80mΩ SiC MOSFET的器件CGE2M120080。

据悉，CGE2M120080 SiC MOSFET器件具有更低的导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特性，主要用于开关电源、电机驱动器、电动汽车OBC、充电桩、光伏逆变等领域。

CGE2M120080 SiC MOSFET器件主要规格参数（图源：世纪金光）

世纪金光介绍，CGE2M120080 SiC MOSFET器件单位面积导通电阻RDS（on）相对于上一代产品下降了大约53%，栅总电荷量下降52%，使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS（on）×Qgd）”降低了大约78%，可有效提升开关速度，从而使开关损耗减小超过20%，整体性能表现居先进水平。

仙湖半导体推出1200V SiC全桥和整流器模块

10月1日，仙湖半导体Lakesemi宣布开发出新一代带整流模块的碳化硅全桥——LSCT30PV120B9G。

据悉，该产品的导通电阻非常低，并兼具低电容、高速开关、高开关频率等特点，有助于提高设备的快速响应能力和节能性能，可广泛应用于电机驱动、开关电源和UPS等领域。

仙湖半导体指出，LSCT30PV120B9G在带整流模块的碳化硅全桥方面的性能更胜一筹，其VDSS指标达到1200V，并具有88mΩ的导通电阻和347nc的总栅极电荷。

整流器方面，其重复峰值反向电压达到1800V，最大正向电流有效值为50A，浪涌电流（@tp=10ms）为315A，在复杂的工作环境中仍能保持良好的稳定性。

此外，LSCT30PV120B9G的工作温度范围（Ta）为-40°C至+125°C，即使在工业和恶劣的热环境中也可正常使用。同时，其采用了先进的封装技术，尺寸仅为62.8mm×56.7mm×16.5mm，可用于空间狭小的地方。