鸿镓科技5G通讯GaN／SiC芯片，明年Q1完成验证

近日，鸿镓科技展出领先业界的氮化镓(GaN)e-Bike及无人机马达应用的IPM（Intelligent Power Module，智慧功率模块）原型；针对5G通讯GaN／SiC芯片，预计2023年第一季完成客户验证，量产5G微基站通讯用芯片。

今年8月，鸿镓科技拟投资2亿新台币（约4500万人民币）设立鸿镓科技中科分公司，进驻中科台中园区，主攻研制氮化镓功率外延片及氮化镓功率晶体等产品。

据了解，鸿镓科技对应38W至120W快充电源及200W路灯电源应用方案，可提供客户快速设计并验证电源产品；针对快充电源65W，由鸿镓科技提供GaN FET，经上市公司电源大厂环隆科技生产，已成功打入日本市场，产品于今年10月开始出货。

鸿镓科技表示，GaN FET应用于大W数电源模块，正与日本大厂进行90W～120W GaN FET路灯电源开发，进军越南市场及南美洲市场。另外，资料中心服务器GaN FET电源模块开发项目也积极洽谈中。

在GaN IPM方面，可以将相同马力马达控制器尺寸缩小及效率提升，在同等条件下马达使用GaN IPM可创造e-Bike及无人机更好的效率及续航力。鸿镓科技预计于2023年第一季推出正式氮化镓IPM的产品。

鸿镓科技指出，除了氮化镓电源产品，也布局在绿能减碳氮化镓应用产品。发展初期主要布局650V中压电源应用市场，目前也积极开发1200伏电动车应用的氮化镓功率元件，预计未来3年内会具有涵盖高中低电压氮化镓产品，成为具有最完整产品应用于氮化镓电源及绿能产品应用的领导厂商。