融资2亿，10亿建SiC线！中国“Soitec”诞生？

中国不仅沟槽SiC MOS开始量产，复合SiC衬底企业也在加快量产进程！

最近，国内一家SiC公司完成2亿融资，还将投资近10亿，建设国内首条复合SiC衬底产线，他们的技术路线有些类似于Soitec，但可能更具成本优势，因为他们采用SiC和硅片的键合，详情请往下看。

青禾晶元融资近2亿

投资近10亿建线

据“云晖资本”9月7日消息，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司已经完成了近2亿元A++轮融资，资金将主要用于新建产线扩大生产。

公开资料显示，青禾晶元成立于2020年7月。青禾晶元董事长母凤文曾表示，青禾晶元要做的事情，就是使用先进异质集成技术来提高碳化硅良率、降低成本。

今年6月，青禾晶元副总经理王晓宇在接受清华大学采访时曾提到，他们公司成立不到两年已完成3亿元融资。截至目前，青禾晶元半导体已完成6轮融资。

据中国发展网报道，6月23日，在天津举办的第六届世界智能大会重点项目签约活动上，青禾晶元参与签约，拟投资9.9亿元，将在当地高新区建设国内首条复合衬底生产线。

据了解，青禾晶元自成立以来，他们还在山西、江苏等地有相关的项目布局：2020年7月，天津中科晶禾电子科技在天津滨海高新区成立；2021年9月，菲科半导体在江苏省张家港高新区成立；2021年12月，青禾晶元（晋城）半导体在山西省晋城市成立；2022年1月，青禾晶元（天津）半导体成立。

目前，青禾晶元在天津拥有近2000平米的研发制造中心，还在山西智创城拥有近1000平米的超净车间，主要进行化合物半导体的研发生产制造。

中国版Soitec?

改性SAB具备多种可能性

根据公告，青禾晶元的主要技术特点在于他们公司的Emerald-SiC产品，该公司表示，这种产品可有效兼顾衬底质量、性能和成本，有望提高SiC晶圆产能，降低SiC器件成本，实现SiC器件在新能源汽车、新基建等领域规模量产。

根据表述，青禾晶元的SiC衬底技术有点类似Soitec和日本住友金属的子公司Sicoxs，是将SiC单晶衬底键合在SiC多晶衬底或者硅衬底上，这样既可以减少SiC单晶衬底的使用量，又可以获得与单晶衬底相同的器件特性，以达到降低成本的目标。

目前，青禾晶元还未公开Emerald-SiC的相关信息，“行家说三代半”通过浏览母凤文之前发布的论文发现，青禾晶元有可能采用的是表面活化键合 (SAB)技术，可以在室温下实现异质衬底的键合，除了SiC衬底外，还可以用在金刚石、氮化镓、MEMS等领域。

以SiC衬底为例，母凤文曾实现了SiC和硅衬底的键合。其SiC 晶圆是3英寸 4H-SiC，硅晶片是 6 英寸镜面抛光 (100) 硅。

其研究表明，通过SAB技术成功完成了二者在室温下的键合， 除了少数几个空隙外，几乎整个晶片都可以键合， 结合强度接近或高于硅强度。相比之下，之前大多数的 SiC 晶圆键合需要非常高的温度，甚至高于 1000℃，至少需要几个小时。